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半导体材料和禁带宽度
禁带宽度
对
半导体
器件有哪些影响?
答:
1. 导电性:
禁带宽度
决定了
半导体
的电导率。禁带宽度越宽,半导体的电导率越低,即半导体越不导电。相反,禁带宽度越窄,电导率越高,半导体越容易导电。这使得半导体器件可以在不同的导通和截止状态之间切换。2. 光电性能:禁带宽度决定了半导体对光的响应能力。宽禁带宽度的半导体对光响应较弱,而窄禁带...
半导体
物理中,能带宽度
与禁带宽度
的区别是什么?
答:
1、概念不同:能带宽度:为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。
禁带宽度
:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同:能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近...
半导体和
绝缘体
禁带宽度
范围
答:
大于4.5eV。
禁带宽度
很大(一般大于4.5eV)的是绝缘体,禁带宽度居中的是
半导体
。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。
半导体
器件的
禁带宽度
是指什么啊?
答:
禁带宽度
如下:禁带宽度是
半导体
的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带,被束缚的电子要成...
禁带宽度
ev是什么意思
答:
禁带宽度
ev是用于描述电子在
半导体材料
中的能带结构的一个参数。在半导体中,电子的能级和能量状态是可变的,可以在导带和价带之间自由移动,但是在某些能量区间内,电子是无法存在的,这个区间被称为禁带。禁带宽度ev就是这个禁带区域的能量差值。禁带宽度ev的大小决定了半导体的导电性质和光电性质。大的禁带...
禁带宽度
相同的不同
半导体
,其光吸收能力一定相同吗
答:
禁带宽度
相同的不同半导体,其光吸收能力不相同。1、禁带宽度与光吸收能力的关系:禁带宽度是
半导体材料
中电子能级的能量差异,决定了材料对不同能量光子的吸收能力。禁带宽度只是影响光吸收能力的一个因素,有别的因素会对光吸收产生影响。2、光吸收与材料的能带结构相关:除了禁带宽度,半导体材料的能带结构...
简述
半导体材料
的种类性质及其在国民经济中的重要地位
答:
1、宽禁带:
半导体材料
的
禁带宽度
通常在1-3电子伏特之间,这使得它们能够在高温和强光照射下保持稳定的电学性质。2、高迁移率:半导体材料中的电子迁移率较高,这使得它们能够支持高速电子运动,适用于制造高速和高频的电子设备。3、热稳定性:半导体材料在高温下能够保持稳定的电学性质,适用于制造高温环境...
纳米
半导体
ZnS的带隙(能隙)是多少??上下值各是多少??
答:
ZnS是一种直接带隙的
半导体材料
,具有闪锌矿和纤锌矿两种结构,
禁带宽度
为3.6~3.8eV,它具有良好的光电性能,广泛应用于各种光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池,一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料,并且已经...
2
半导体
的
禁带宽度
大小对它的用途有哪些影响,举例?
答:
导电性:
禁带宽度
较小的
半导体
通常具有更高的电子导电性,因此常被用于制造导电性能良好的器件。例如,硅(Si)具有较小的禁带宽度,广泛用于制造晶体管、集成电路和其他电子元件。绝缘性:禁带宽度较大的半导体通常是绝缘体,电子不能轻易跃迁到导带,因此用于制造绝缘体
材料
,如氧化铝(Al2O3)等。这些...
半导体材料
特性参数有哪些半导体材料特性要求有哪些
答:
常用的
半导体材料
的特性参数有:
禁带宽度
、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的电子和空穴)、非平衡载流子寿命、位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命...
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