半导体器件的禁带宽度是指什么啊？

Question

如题所述

Answer 1

禁带宽度如下：

禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。

禁带宽度（Band gap）是指一个带隙宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带，被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从价带跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：室温下（300K），锗的禁带宽度约为0.66ev；硅的禁带宽度约为1.12ev；砷化镓的禁带宽度约为1.424ev；氧化亚铜的禁带宽度约为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属，反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作为温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。