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半导体禁带宽度计算
禁带宽度计算
公式
答:
禁带宽度的计算公式:Eg=1240/λg(eV)
。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在...
纯净锗吸收辐射的最大波长为1.9μm,则锗的
禁带宽度
为?答案是0.67eV,哪...
答:
这个属于
半导体
物理的知识。光子的能量要大于或等于
禁带宽度
,才能使电子产生能级跃迁,吸收辐射,产生电流。光子的能量=hv=h*(光速/波长),h为普朗克常数=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由题意和上述原理可知,禁带宽度就等于这时的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波长)=(4.14×10-15...
tuac变换怎么求
禁带宽度
答:
(α hv)1/m=B(hν-Eg)直接带隙:m=1/2 间接带隙:m=2 α为吸收系数,B为常数,hv为光子能量,h 为普朗克常数=4.1356676969×10-15 eV·s,ν 为入射光子频率,Eg表示
半导体禁带宽度
(带隙)
通过电化学方法怎么
计算
价带和导带位置
答:
测量禁带宽度 1:利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式
Eg=1240/λg (eV) 计算禁带宽度
2:利用 (Ahν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(Ahν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接半导体禁带宽度值者...
怎样
计算
二氧化钛的
禁带宽度
答:
方法2:利用 2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值.也可利用0.5 对hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值.前者为间接
半导体禁带宽度
值,后者为直接半导体禁带宽度值.F(R∞) 即...
带隙
宽度
怎么
计算
答:
伸曲线切线与x轴相交,即可得
半导体
材料的光学带隙值Eg。
禁带宽度
是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
禁带 宽度
的大小实际上是反映了价电子被 束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。禁带宽度可以通过电导率法...
半导体
物理的题目,有没有人会?
答:
首先分别求出导带底的能量和价带顶的能量,然后把它们相减,就得到
禁带宽度
。至于导带底的能量和价带顶的能量,分别是导带极小值的能量和价带极大值的能量,因此可分别
计算
它们的微分,并令=0,即可得到。
如何用反射谱
计算禁带宽度
方程式子表示
答:
即为禁带宽度值。前者为间接
半导体禁带宽度
值,后者为直接半导体禁带宽度值。F(R∞) 即为Kubelka-Munk 函数,简写为K-M 函数, F(R ∞) = (1- R ∞)2 / 2R∞ R 即为相对漫反射率,简称漫反射率 R‘∞ 即为绝对漫反射率,常用参比样品为BaSO4,其绝对漫反射率R‘∞约等于1。
光电导器件的
禁带宽度
与截止波长的关系
答:
h拔是归一化普兰克常数,c是光束,Eg是
禁带宽度
(eV),λc是截止波长。
禁带宽度
和波长的关系是怎么样的?
答:
物理意义
禁带宽度
是
半导体
的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子(称为价电子),不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和自由空穴后,才能够导电。空穴实际上也...
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