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半导体材料和禁带宽度
禁带宽度
ev是什么意思
答:
半导体材料
的
禁带宽度
决定了其应用范围,同时也影响着其电子性质。不同的禁带宽度对应着不同的半导体材料,如硅、锗和砷化镓等。禁带宽度ev的大小还对材料的发光颜色有影响,较小的禁带宽度对应着较长波长的发光,而较大的禁带宽度对应着较短波长的发光。因此,禁带宽度的理解和掌握是半导体材料设计和制备...
简述
半导体材料
的种类性质及其在国民经济中的重要地位
答:
在能源领域,
半导体材料
被用于制造太阳能电池、风力发电设备等新能源设备。在医疗领域,半导体材料被用于制造医疗设备、医疗器械等关键部件。此外,半导体材料还被广泛应用于环境监测、农业现代化等领域,为国民经济的发展做出了重要贡献。半导体材料的优点:1、宽禁带:半导体材料的
禁带宽度
通常在1-3电子伏特...
半导体
的
禁带宽度
大约位于什么区间
答:
禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。
半导体
最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为
禁带宽度
。
多晶硅
禁带宽度
答:
1.12eV。硅材料是应用最广泛的元素
半导体材料
,具有其余元素不具有的一些特性,在室温下它的
禁带宽度
为1.12eV,其本征载流子浓度为1.45x10D/cm。
禁带宽度
计算公式
答:
例如:室温下(300K),锗的禁带宽度约为0.66ev;硅的禁带宽度约为1.12ev;砷化镓的禁带宽度约为1.424ev;氧化亚铜的禁带宽度约为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属,反之一般是绝缘体。
半导体
的反向耐压,正向压降都
和禁带宽度
有关。禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的...
硅在室温下的
禁带宽度
答:
1.12电子伏特。根据查询相关资料信息显示,硅在室温下的
禁带宽度
约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在
半导体材料
中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小与硅晶体的晶格结构和原子间相互作用有关。
为什么
半导体
的
禁带宽度
会随温度升高而增大?
答:
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心,而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接
禁带半导体
。直接带隙
半导体材料
就是导带最...
半导体
pn结
与禁带宽度
有什么关系
答:
禁带宽度
越大,电势差越大。PN结的电势差
与半导体
施主和受主掺杂浓度有关,在温度一定时,掺杂浓度越大,电势差越大;PN结的电势差与半导体的禁带宽度有关,禁带宽度越大,本征载流子浓度越小,电势差越大;PN结的电势差与半导体的温度有关,温度越高,电势差越大。
半导体禁带宽度
为什么是负的
答:
我来回答一下,本人某电微电子科学与工程专业,有表述不当之处,望批评指正。影响
半导体禁带宽度
的因素主要有两种:温度与掺杂浓度。(以si、Ge、GaAs半导体为主)1、半导体禁带宽度具有负温度系数:从原子到晶体,经过价键杂化(即:sp3杂化),一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时,晶体的原子...
提高
半导体材料
的
禁带宽度
怎么
答:
你好,请问是想问怎么提高
半导体材料
的
禁带宽度
吗?提高半导体材料的禁带宽度如下:1、添加参杂去提高;2、改变材料的大小。禁带宽度指的是一个能带宽度,也叫做带隙,单位是电子伏特(eV)。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
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