77问答网
所有问题
当前搜索:
半导体材料和禁带宽度
什么是宽带隙
半导体材料
答:
宽带隙半导体,一般把室温下带隙大于2.0eV的
半导体材料
归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件,高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。室温下,Si的带隙为1.1eV,GaAs的带隙为1.43eV,一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体,宽带隙半导体在...
电池基体
材料
的
禁带宽度
越宽Uoc越小。
答:
禁带宽度
是越小约好的。禁带宽度对于
半导体
器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用。
半导体
常见的晶体结构
答:
决定
半导体材料
的基本物理特性,即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说,晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无限分布。点子的总体称为点阵,通过点阵的结点可作许多平行的直线组和平行的晶面组。这样,点阵就成网格,称为晶格。由于晶格的周期性,可取一个以格点为...
半导体
雪崩光电二极管的影响响应速度的因素
答:
但在适中的增益下,与其他影响光电二极管响应速度的因素相比,这种限制往往不起主要作用,因而雪崩光电二极管仍然能获得很高的响应速度。现代雪崩光电二极管增益-带宽积已达几百吉赫。与一般的半导体光电二极管一样,雪崩光电二极管的光谱灵敏范围主要取决于
半导体材料
的
禁带宽度
。制备雪崩光电二极管的材料有硅、锗...
锗
与
硅 做
半导体材料
各自的优缺点
答:
--- 锗:作为最早被研究的
半导体材料
,带给我们两个诺贝尔奖,第一个transistor和第一个IC.锗的优点是:1)空穴迁移率最大,是硅的四倍;电子迁移率是硅的两倍.2)
禁带宽度
比较小,有利于发展低电压器件.3)施主/受主的激活温度远低于硅,有利于节省热预算.4)小的波尔激子半径,有助于提高它的场发射...
半导体
的PN结指的是什么
答:
一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结.PN结有同质结和异质结两种.用同一种
半导体材料
制成的 PN 结叫同质结 ,由
禁带宽度
不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.制造PN结的方法有合金法、...
说明为什么不同的
半导体材料
制成的半导体器件或集成电路其最高工作温度...
答:
简单地说,可以认为不同材料导电性随温度的变化特性不同。有的材料随温度升高,其导电性提高得很快,使晶体管在关闭状态还有很大的电流,从而让集成电路无法正常工作。本质上,这是由不同
半导体材料
的
禁带宽度
决定的,禁带宽度越窄,价带的电子就越容易受热激发到导电形成载流子。这也是为什么功率半导体器件...
半导体
物理中pn二极管电致发光的原理
答:
在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光,如图所示。理论和实践证明,光的峰值波长λ与发光区域的
半导体材料禁带宽度
Eg有关,即λ≈1240/Eg(mm)式中Eg的单位为电子伏特(eV)。若能产生可见光(波长在380nm紫光~...
光伏电池
材料
的
禁带宽度
越高电池开路电压越低
答:
这种说法是错误的,正确的是:光伏电池
材料
的
禁带宽度
越高,电池开路电压越高。在
半导体
中,禁带宽度决定了材料对于不同波长光的吸收能力。当禁带宽度较窄时,在太阳光谱范围内只能吸收到部分波长的光子产生空穴-电子对,很容易发生复合损失;当禁带宽度较大时,可以吸收更多波长范围内的太阳能,减少复合损失...
PN结
材料
的
禁带宽度
的测量为什么要恒流条件
答:
例如:室温下(300K),锗的禁带宽度约为0.66ev;硅的禁带宽度约为1.12ev;砷化镓的禁带宽度约为1.424ev;氧化亚铜的禁带宽度约为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属,反之一般是绝缘体。
半导体
的反向耐压,正向压降都
和禁带宽度
有关 序号 行业标准名称 行业标准代号 主管部门 1 农业 NY 农业部 2 水产...
棣栭〉
<涓婁竴椤
6
7
8
9
11
12
13
14
10
15
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜