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半导体禁带宽度范围
半导体
的
禁带宽度
大约位于什么区间
答:
禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。半导体最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。
导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度
。
禁带宽度
是多少?
答:
例如:室温下(300K),锗的禁带宽度约为0.66ev
;硅的禁带宽度约为1.12ev;砷化镓的禁带宽度约为1.424ev;氧化亚铜的禁带宽度约为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属,反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的...
纳米
半导体
ZnS的带隙(能隙)是多少??上下值各是多少??
答:
ZnS是一种直接带隙的半导体材料,具有闪锌矿和纤锌矿两种结构,
禁带宽度为3.6~3.8eV
,它具有良好的光电性能,广泛应用于各种光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池,一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料,并且已经获...
禁带宽度
对
半导体
性质有何影响?
答:
以具体实例来说,
锗的禁带宽度为0.66eV,硅的则为1.12eV,砷化镓的禁带宽度为1.46eV
,而氧化亚铜的宽度更为显著,为2.2eV。禁带宽度的大小对于物质的电学性质有显著影响:禁带宽度较窄的物质,如金属,其电子容易获得足够的能量跃迁至导带,因此通常表现为导体;相反,禁带较宽的物质,如绝缘体,电子...
半导体
光吸收的截止波长是多少
答:
响应波长跟
半导体禁带宽度
有关,比如GaN,禁带宽度3.44 eV,光电响应截止波长是360 nm,紫外波段。可见光波长大于360nm,光子能量小于3.44eV,不能在GaN中激发出电子空穴对,因此没有响应。Si的禁带宽度是1.12 eV,光电响应的截止波长在1100nm,对可见光波段有响应。但是对于紫外光波段,光子能量高,...
硅在室温下的
禁带宽度
答:
1.12电子伏特。根据查询相关资料信息显示,硅在室温下的
禁带宽度
约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在
半导体
材料中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小与硅晶体的晶格结构和原子间相互作用有关。
N型
半导体
和P型哪个
禁带宽度
大?
答:
问题问的不对 N型和P型
禁带宽度
可能一样,也可能不一样
半导体
的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的(不是掺杂类型),相同的半导体材料不论什么类型掺杂,其禁带宽度都是一定的。不同材料的半导体之间才有禁带宽度的不同。Si:1.12ev Ge:0.67ev GaN:3.34ev ...
半导体
物理中,能带宽度与
禁带宽度
的区别是什么?
答:
1、概念不同:能带宽度:为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。
禁带宽度
:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。2、所含电子不同:能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种...
金属钛的
禁带宽度
答:
钛表面的钝化膜导电性极差,由于该膜的成分主要是TiO 2,它属n型
半导体
,
禁带宽度
为3.0eV,在众多半导体中,它的禁带宽度是较宽的。百度里搜索 钛 禁带宽度,找到如下网址:http://218.199.86.172/UploadFiles/2006724204046318.doc
ge的
禁带宽度
是多少
答:
0.67电子伏特(eV)。GE是指化学元素锗(Germanium)的符号。锗是一种
半导体
材料,它的
禁带宽度
为0.67电子伏特(eV)。锗是最早被用于制造半导体器件的材料之一,但现在已经被硅等其他材料所取代。
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