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半导体禁带宽度等于
禁带宽度
对
半导体
性质有何影响?
答:
禁带宽度
的大小对于物质的电学性质有显著影响:禁带宽度较窄的物质,如金属,其电子容易获得足够的能量跃迁至导带,因此通常表现为导体;相反,禁带较宽的物质,如绝缘体,电子很难跃迁,因此电阻较大。在
半导体
器件中,禁带宽度的大小直接影响其反向耐压能力和正向压降,这是半导体器件工作特性的关键参数之一...
硅在室温下的
禁带宽度
答:
1.12电子伏特。根据查询相关资料信息显示,硅在室温下的
禁带宽度
约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在
半导体
材料中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小与硅晶体的晶格结构和原子间相互作用有关。
半导体
物理的题目,有没有人会?
答:
首先分别求出导带底的能量和价带顶的能量,然后把它们相减,就得到
禁带宽度
。至于导带底的能量和价带顶的能量,分别是导带极小值的能量和价带极大值的能量,因此可分别计算它们的微分,并令=0,即可得到。
半导体
物理中,能带宽度与
禁带宽度
的区别是什么?
答:
2、所含电子不同:能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、
半导体
的区别所在,解释了晶体中电子的平均自由程问题。
禁带宽度
:是指一个能带宽度,固体中...
si的
禁带宽度
为
答:
1.12电子伏特。Si指的是硅材料,是一种化学元素,Si材料的
禁带宽度
为1.12电子伏特,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的
半导体
材料,硅的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
试用晶体能带理论说明元素的导体、
半导体
、绝缘体的导电性质
答:
导体的导带是半满的,所以本身就导电;绝缘体的禁带宽度较大,常温下价带顶的电子几乎没有一个有足够的能量跃迁到导带底,故电导率非常低;
半导体禁带宽度
较小,约为1eV,在常温下价带有相当数量的电子跃迁到导带,在价带留下空穴,电子、空穴同时导电,有一定的导电能力,高温时随温度升高跃迁的电子数...
半导体禁带宽度
与辐射出的最长波长有什么关系?
答:
相应的最大辐射几率的波长λ=Eg/hc,其中c是光速,h是普朗克常数。
一
半导体
激光器的
禁带宽度
为0.8ev,该激光器所能发出的光波长是多少_百...
答:
λ=Eg/hc,其中c是光速,h是普朗克常数。自己算一算就知道了。
半导体
的
禁带宽度
大约位于什么区间
答:
禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。
半导体
最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为
禁带宽度
。
pn结光电器件的
禁带宽度
与截止波长的关系
答:
锗的
禁带宽度
为0.785ev;硅的禁带宽度为1.21ev;砷化镓的禁带宽度为1.424ev.禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体.
半导体
的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关.介于传输与截止之间的临界状态,即由所确定的状态,该状态所确定的频率称为截止频率,该频率所对应的波长称为截止波长....
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