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半导体禁带宽度等于
导体 绝缘体
半导体
的具体界限
答:
”这个原则是我们区别导体、
半导体
、绝缘体的基础.对于固体材料的能带填充可以有四种情况 ,如图2-67所示,其中a表示存在不满带,b 表示虽然是满带,但与上面的空带产生了交叠,c、d表示满带和空带之间出现了禁带。我们说,对应于a、b方式填充能级的材料为金属,对于半导体和绝缘体,则要看
禁带宽度
的...
禁带宽度
是什么?
答:
名词解释如下:1、导带是由自由电子形成的能量空间,即固体结构内自由运动的电子所具有的能量范围。2、价带:价带(valence band)或称价电带,通常是指
半导体
或绝缘体中,在0K时能被电子占满的最高能带。3、禁带:英文名为Forbidden Band,在能带结构中能态密度为零的能量区间。特点
禁带宽度
的大小...
名词解释:
半导体
的
禁带宽度
以及大气质量AM0、AM1.5、AM2
答:
禁带宽度
由
半导体
的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。地球大气层外接受到的太阳辐射,未受到大气层的反射和吸收,称为大气质量为0的辐射, 以AM0表示。太阳辐射在到达地球之前,被大气层中的气体分子及悬浮微粒所吸收、散射和反射而被削弱,这种...
禁带宽度
如何影响
半导体
的导电性和器件性能?
答:
禁带宽度
是
半导体
材料中一个关键的特性参数,它主要由半导体的能带结构决定,包括晶体结构和原子间的结合特性。禁带宽度反映了半导体中价电子的束缚程度,即产生本征激发所需的最小能量。例如,硅(Si)由于原子序数较小,价电子的束缚相对较紧,禁带宽度比锗(Ge)大。而镓砷(GaAs)由于价键的极性,禁带...
为什么
半导体
的
禁带宽度
会随温度升高而增大?
答:
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心,而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接
禁带半导体
。直接带隙半导体材料就是导带最...
光子型探测器的分类
答:
只有当入射光子能量大于光敏材料中的电子激活能E时,探测器才有响应。对于外光电效应器件,如光电管和光电倍增管,E等于电子逸出光电阴极时所要作的功,此数值一般略大于1电子伏。因此,这类探测器只能用于探测近红外辐射或可见光。对于光伏型探测器和本征光导型探测器,E
等于半导体
的
禁带宽度
;对于非本征光导...
绝缘体和
半导体
为什么只有满带和空带?
答:
由于热运动,满带中的电子总会有一些具有足够的能量激发到空带中,使之成为导带。由于绝缘体的
禁带宽度
较大,常温下从满带激发到空带的电子数微不足道,宏观上表现为导电性能差。
半导体
的禁带宽度较小,满带中的电子只需较小能量就能激发到空带中,宏观上表现为有较大的电导率(见半导体)。
研究
半导体
的
禁带宽度
的有什么意义
答:
就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是
禁带宽度
禁带宽度是
半导体
的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。简而言之,禁带宽度的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。
带隙和
禁带宽度
是一回事吗
答:
在
半导体
物理里,导带底与价带顶之间的能量差即称为
禁带宽度
,或者称为带隙、能隙。
N型
半导体
和P型哪个
禁带宽度
大?
答:
问题问的不对 N型和P型
禁带宽度
可能一样,也可能不一样
半导体
的禁带宽度是针对不同半导体材料而言的(不是掺杂类型),相同的半导体材料不论什么类型掺杂,其禁带宽度都是一定的。不同材料的半导体之间才有禁带宽度的不同。Si:1.12ev Ge:0.67ev GaN:3.34ev ...
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