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si的禁带宽度为
如题所述
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推荐答案 2023-12-24
1.12电子伏特。Si指的是硅材料,是一种化学元素,Si材料的禁带宽度为1.12电子伏特,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的半导体材料,硅的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
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si
,ge,gaas,gan,sic等半导体材料
的禁带宽度
和电子迁移率各是多少_百...
答:
禁带宽度:1.12, 0.66, 1.42, 3.44
6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000,3000左右 (cm^2/(V·s))
请论述
Si
、GaAs、SiC这三种半导体材料的差异性以及这三种半导体材料的掺 ...
答:
就上述三种材料来讲,
Si的带宽为1.12eV属窄禁带半导体
,GaAs和SiC为宽紧带半导体材料,材料的一些主要性能都由它们的带宽和能带结构决定,所以应从能带论入手。由于禁带宽度的不同,它们的工作极限工作温度有所差异,吸收光的范围也有所差异。掺杂原理则一般均为替位式掺杂。至于应用领域不可一言以蔽之。
半导体光吸收的截止波长是多少
答:
Si的禁带宽度是1.12 eV
,光电响应的截止波长在1100nm,对可见光波段有响应。但是对于紫外光波段,光子能量高,半导体Si表面吸收系数极大,基本没有紫外波段光进入探测器吸收区,因此Si探测器不能探测到紫外波段光,没有光电响应。
硅
Si的
价带顶能量Ev为多少?
答:
硅Si的价带顶能量Ev为1.1-1.3V。对应波长:L=c/f = c/(E/h) = c*h/E。这里E是光子能量,c是光速,h是普朗克常数。取c=3*10^8m/s h=4.136*10^(-15)eV/s。温度为300K时,
硅的禁带宽度1.124V
,则E=1.124eV。得到对应波长为:L=1.104*10^(-6) = 1.104um。也就是大概1...
为什么硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高
答:
因为硅
的禁带宽度
比锗的大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高的本征载流子浓度,使器件失去性能。在通常情况下,要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度,所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以,硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。
为什么硅二极管的死区电压比锗二极管的死区电压大?
答:
你说的没错呀。300K下,Si的禁带宽度是
1.12
eV,GeSi的禁带宽度是0.67eV,所以本征Ge的载流子浓度远高于Si的,其反向饱和电流密度I0也更大。I = I0 * [exp(qV/(kT)) - 1]所以Ge管开启电压更低。
请问SIC半导体与硅半导体的主要差别是什么?
答:
然而随着科学的进步和半导体技术的发展,
Si
由于材料本身的特点在某些应用领域的局限性逐渐表现出来。例如,其带隙较窄(~1.12eV)、载流子迁移率和击穿电场较低等,限制了其在光电子领域以及高频、高功率器件方面的应用L1。 第三代半导体也称为宽带隙半导体(
禁带宽度
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