77问答网
所有问题
当前搜索:
半导体材料的禁带宽度计算
禁带宽度计算
公式
答:
Eg=140/λgeV
。通过查询半导体知识点得知,禁带宽度(Bandgap)符号为Eg,导带的最低能级和价带的最高能级之间的能,固体物理学的量,禁带宽度计算公式为Eg=140/λgeV。
禁带宽度计算
公式
答:
禁带宽度的计算公式:Eg=1240/λg(eV)
。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在...
半导体
本征浓度怎么
计算
答:
EG——电子挣脱共价键束缚所需要的能量,单位是eV(电子伏),又被称为
禁带宽度
;T——温度;A——系数;k——波耳兹曼常数(1.38×10-23J/K);e——自然对数的底。由于在本征
半导体
中自由电子和空穴是成对出现的,所以这个
计算
公式也可以用来表示空穴的浓度。
纯净锗吸收辐射的最大波长为1.9μm,则锗
的禁带宽度
为?答案是0.67eV,哪...
答:
这个属于
半导体
物理的知识。光子的能量要大于或等于
禁带宽度
,才能使电子产生能级跃迁,吸收辐射,产生电流。光子的能量=hv=h*(光速/波长),h为普朗克常数=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由题意和上述原理可知,禁带宽度就等于这时的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波长)=(4.14×10-15...
带隙
宽度
怎么
计算
答:
伸曲线切线与x轴相交,即可得
半导体材料的
光学带隙值Eg。
禁带宽度
是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
禁带 宽度
的大小实际上是反映了价电子被 束缚强弱程度的一个物理量,也就是产生本征激发所需要的最小能量。禁带宽度可以通过电导率法...
怎样
计算
二氧化钛
的禁带宽度
答:
方法2:利用 2 对 hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值.也可利用0.5 对hν 做图,利用直线部分外推至横坐标交点,即为禁带宽度值.前者为间接
半导体禁带宽度
值,后者为直接半导体禁带宽度值.F(R∞) 即...
通过电化学方法怎么
计算
价带和导带位置
答:
测量禁带宽度 1:利用紫外见漫反射测量吸光度与波数据作图利用截线做吸收波阈值 λg(nm)利用公式 Eg=1240/λg (eV)
计算禁带宽度
2:利用 (Ahν)2 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值利用(Ahν)0.5 hν 做图利用直线部外推至横坐标交点即禁带宽度值前者间接
半导体禁带宽度
值者...
如何精确
计算半导体禁带宽度
答:
对于常用的Si、Ge和GaAs等
半导体
,在由原子结合而成为晶体的时候,价键将要产生所谓杂化(s态与p态混合——sp3杂化),结果就使得一条原子能级并不是简单地对应于一个能带。所以,当温度升高时,晶体的原子间距增大,能带宽度虽然变窄,但
禁带宽度
却是减小的——负的温度系数。当掺杂浓度很高时,由于...
怎么求
禁带宽度
? 我指的禁带是
半导体的禁带
!
答:
很多
材料的禁带宽度
都是已知的,可以直接查找,如果是对于未知的材料通过
计算
来求禁带宽度的话,需要计算材料的电子结构,然后判断出导带和禁带的位置,它们之间的最小间距就是禁带宽度
本征
半导体
硅
的禁带宽度
如何求他的极限吸收波长
答:
本征
半导体
硅
的禁带宽度
是1.14eV,它能吸收的辐射的最大波长为()。(普朗克恒量h=6.63×10-34J·s,1eV=1.6×10-19J)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
带隙计算公式1240是怎么来的
计算禁带宽度的公式叫什么
带隙计算公式Eg与带隙关系
禁带宽度与波长计算公式
半导体紫外可见吸收光谱
禁带宽度公式是谁提出的
直接带隙和间接带隙怎么求
间接半导体禁带宽度计算公式
粒径与禁带宽度公式