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半导体材料和禁带宽度
芯片的主要
材料
答:
它是芯片制造的关键材料,提到
半导体材料
,各位可能会想到碳化硅,但或许不知道氮化镓,它们都是第三代半导体的关键材料。相比硅材料,氮化镓的
禁带宽度
、电子饱和迁移速度和击穿场强都更胜一筹,这些优点使其在射频器件和电力电子器件的制造上更有优势。镓的分布 镓虽然是地壳丰度最高的稀散金属,可独立矿物...
碲镉汞 是窄
禁带半导体
,是不是说 它这3种物质都是窄禁带半导体呢?Fe是...
答:
所谓半导体是指导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的
材料
。碲镉汞这种化合物是半导体,但分开后就是单独的物质。而Fe是金属,并不是半导体。另外,所谓窄禁带涉及到半导体的能带理论,简单来说,窄
禁带半导体禁带宽度
较窄,在一定温度下电子更容易从价带跃迁到导带参与导电,所以说窄禁带半导体...
LED发光原理
答:
电子和空穴消失的同时产生光子。电子和空穴之间的能量(带隙)越大,产生的光子的能量就越高。3、光子的能量反过来与光的颜色对应,可见光的频谱范围内,蓝色光、紫色光携带的能量最多,桔色光、红色光携带的能量最少。由于不同的
材料
具有不同的带隙,从而能够发出不同颜色的光。
太阳能电池的基本特性是什么?
答:
能量大于
禁带宽度
Eg的光子才会对电池输出贡献能量Eg,小于Eg的能量则会以热的形式消耗掉。因此,在太阳能电池的设计和制造过程中,必须考虑这部分热量对电池稳定性、寿命等的影响。太阳能电池 【基本概念】太阳能电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电
半导体
薄片。它只要...
如果要求取电池温度系数,需要进一步获得哪些数据
答:
当有入射光垂直入射到pn结,只要pn结结深比较浅,入射光子会透过pn结区域甚至能深入半导体内部。如图2所示,如果入射光子能量满足关系h#61550;#61619;Eg(Eg为
半导体材料
的
禁带宽度
),那么这些光子会被材料本征吸收,在pn结中产生电子空穴对。光照条件下材料体内产生电子空穴对是典型的非平衡载流子光注入作用...
半导体材料
的发展前景
答:
半导体材料
(semiconductor material) 导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料,其电阻率在10(U-3)~10(U-9)欧姆/厘米范围内。半导体材料的电学性质对光、热、电、磁等外界因素的变化十分敏感,在半导体材料中掺入少量...
半导体
具有单向导电性,导电方向是
答:
另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称.PN结有同质结和异质结两种.用同一种
半导体材料
制成的 PN 结叫同质结 ,由
禁带宽度
不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等.制造异质结通常采用外延生长...
什么是光纤传感器?光纤是敏感元件?
答:
探头中,
半导体材料
的透过率与温度的特性曲线如图2(c)所示,当温度升高时,其透过率曲线向长波长方向移动。显然,半导体材料的吸收率与其
禁带宽度
Eg有关,禁带宽度又随温度而变化,多数半导体材料的禁带宽度Eg随温度丁的升高几乎线性地减小,对应于半导体的透过率特性曲线边沿的波长λg随温度升高向长波方向...
二极管正反电阻差异如此大,其物理原理是什么
答:
一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种
半导体材料
制成的 PN 结叫同质结 ,由
禁带宽度
不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金...
PN结最主要的特性是什么?
答:
一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种
半导体材料
制成的 PN 结叫同质结 ,由
禁带宽度
不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。在PN结上外加一电压 ,...
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