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什么是宽带隙半导体材料
如题所述
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推荐答案 æ¨èäº2019-01-22
ãã宽带éå导ä½ï¼ä¸è¬æ室温ä¸å¸¦é大äº2.0eVçå导ä½ææå½ç±»äºå®½å¸¦éå导ä½ï¼å®½å¸¦éå导ä½å¨èãç´«å åç´«å¤å çµåå¨ä»¶ï¼é«é¢ãé«æ¸©ãé«åççµåå¨ä»¶ååºåå°å¨ä»¶æ¹é¢åºç¨å¹¿æ³ã
ãã室温ä¸ï¼Siç带é为1.1eVï¼GaAsç带é为1.43eVï¼ä¸è¬æ室温ä¸å¸¦é大äº2.0eVçå导ä½ææå½ç±»äºå®½å¸¦éå导ä½ï¼å®½å¸¦éå导ä½å¨èãç´«å åç´«å¤å çµåå¨ä»¶ï¼é«é¢ãé«æ¸©ãé«åççµåå¨ä»¶ååºåå°å¨ä»¶æ¹é¢åºç¨å¹¿æ³ã
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其他回答
第1个回答 2014-04-24
指禁带宽度在1ev以上的半导体材料，像si Ge都属于宽禁带。
第2个回答 2014-04-25
下面的回答有些不妥哦，把带隙大于2ev的才能叫宽带隙，硅和锗的带隙都是小于2eV,属于窄带隙的，像氧化锌的带隙是3.3ev，这才是宽带隙的半导体
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半导体
的带
隙
越大越好还是越小越好
答：
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是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料
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