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半导体材料和禁带宽度
半导体
激光器的决定因素
答:
又可以把电的能量变成光,这时
材料禁带
的宽度就决定了光电器件的工作波长。材料科学的发展使我们能采用能带工程对
半导体材料
的能带进行各种精巧的裁剪,使之能满足我们的各种需要并为我们做更多的事情,也能使半导体光电器件的工作波长突破材料
禁带宽度
的限制扩展到更宽的范围。
常见的
半导体材料
有什么特点优势
答:
其中硅是最常用的一种
半导体材料
。有以下共同特点:1.半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2.半导体受外界光和热的刺激时,其导电能力将会有显著变化。3.在纯净半导体中,加入微量的杂质,其导电能力会急剧增强。·常见半导体材料有什么优势半导体材料是室温下导电性介于导电
材料和
绝缘材料之间的一类功能...
什么是第三代
半导体材料
?
答:
其次,第三代
半导体材料
具有更宽的
禁带宽度
。禁带宽度是指电子在材料中能够运动的能量范围。较宽的禁带宽度意味着材料可以承受更高的电压和电流,这使得第三代半导体材料在高功率电子器件中更加稳定和可靠。此外,第三代半导体材料还具有较高的热稳定性和抗辐射能力。这意味着材料在高温和高辐射环境下仍能...
常用的
半导体
及特征
答:
此外,
半导体材料
的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换。半导体材料的特性参数有
禁带宽度
、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由...
在光线作用下,
半导体
电导率增加的现象属于什么
答:
即光电导效应是光照射到某些物体上后,引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到
半导体材料
时,材料吸收光子的能量,使非传导态电子变为传导态电子,引起载流子浓度增大,因而导致材料电导率增大。在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量, 若光子能量大于或等于半导体材料的
禁带宽度
,...
作为太阳能电池
材料
的规矩有合适的
禁带宽度
答:
制造太阳能电池材料的
禁带宽度
Eg,在1.1eV到1.7eV之间,以1.5eV左右为佳。采用直接迁移型半导体,
半导体材料
的禁带不能太宽。要有较高的光点转换效率。材料本身对环境不造成污染。材料便于工业化生产且材料性能稳定。
半导体
温度稳定性差的原因,另外是受多子还是少子影响
答:
主要是受多子影响。
半导体禁带宽度
小,受热后外层成键电子容易跃迁到激发态成为参与导电的载流子,导电性能提高,所以温度稳定性差。所以多子起主要作用。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的
材料
。半导体的重要性是非常巨大的,今日大部分的电子产品,如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元...
芯片主要
材料
是什么?
答:
它是芯片制造的关键材料,提到
半导体材料
,各位可能会想到碳化硅,但或许不知道氮化镓,它们都是第三代半导体的关键材料。相比硅材料,氮化镓的
禁带宽度
、电子饱和迁移速度和击穿场强都更胜一筹,这些优点使其在射频器件和电力电子器件的制造上更有优势。镓的分布 镓虽然是地壳丰度最高的稀散金属,可独立矿物...
PN结是什么
答:
一块单晶半导体中 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时 ,P 型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称为PN结。PN结有同质结和异质结两种。用同一种
半导体材料
制成的 PN 结叫同质结 ,由
禁带宽度
不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、...
二极管正反电阻差异如此大,其物理原理是什么
答:
简单来说:正向测时,二极管导通,有电压和电流,电阻可知。反向时,二极管关断,有电压,电流为0,所以电阻接近无穷大。
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