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超晶格与外延的区别
如题所述
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推荐答案 2023-06-26
超晶格与外延的区别是概念不同。因为超晶格是指由两种或以上不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。
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mbe是什么意思?
答：
1，分子束外延 分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为MBE。
分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长
。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，生长面积也受到一定限制。2，物料平衡方程 物料平衡方程，简称物料平衡(material balance e...
超晶格的
介绍
答：
1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了
超晶格的
概念．他们设想如果用两种晶格匹配很好的材料交替地生长周期性结构1，每层材料的厚度在100nm以下，如图所示，则电子沿生长方向的运动将会产生振荡，可用于制造微波器件．他们的这个设想两年以后在一种分子束
外延
设备上得以实现。
分子束
外延的
特点
答：
实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长
超晶格
材料。（2）
外延
生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。（3）由于生长是在超高真空中进行的，衬底表面经过处理可成为完全清洁的，在外延过程中可避免沾污，因而能生长出质量极好的外延层。在...
分子束
外延
法的概况
答：
而MBE是在超高真空环境中进行的，如果配备必需的仪器，就能用许多测试技术对外延生长作在位或原位质量评估。分子束
外延的
重要阶段性成果就是掺杂
超晶格和
应变层结构的出现。掺杂超晶格是一种周期性掺杂的半导体结构。通过周期性掺杂的方法来调制半导体的能带结构。掺杂超晶格的有效制备方法是掺杂技术，该技术...
外延
生长的工艺进展
答：
如在蓝宝石或尖晶石衬底上
外延
生长硅单晶。⑥分子束外延：这是一种最新的晶体生长技术（图2）。将衬底置于超高真空腔中，将需要生长的单晶物质按元素
不同
分别放在喷射炉中。每种元素加热到适当的温度,使其以分子流射出,即可生长极薄（甚至是单原子层）的单晶层和几种物质交替的
超晶格
结构。
多量子阱与
超晶格的区别
与联系是什么
答：
我的理解,
不同
的在于,多量子阱由于量子限域效应,即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时,电子态呈量子化,连续的能带变为分立的能级,形成驻波形式的波函数,且势垒足够厚,可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.而
超晶格
势垒层很薄,势阱之间耦合强烈,人称耦合多量子阱.此时多量子阱的...
液相
外延的
硅LPE的器件应用
答：
是用硅体单晶或多晶硅制成,因而材料的成本就占了很大的比重,为降低成本,在廉价的衬底如硅片、玻璃、陶瓷上液相
外延
一层10—50μm的高质量的硅薄膜,这已成为SC中的很有意义的研究方向 .
超晶格
器件：在硅上外延Si/SixGe1-x多层结构,可以用来提高器件的工作性能,它可以应用于异质结双极型晶体管、红外...
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