都是两种或以上的半导体材料交替生长出的周期性薄层的微结构材料,
我的理解,不同的在于,
多量子阱由于量子限域效应,即当其一维多量子阱薄层线度与电子的德布罗意波长可比拟时,电子态呈量子化,连续的能带变为分立的能级,形成驻波形式的波函数,且势垒足够厚,可近似认为相邻量子阱中的波函数无耦合.
而超晶格 势垒层很薄,势阱之间耦合强烈,人称耦合多量子阱.此时多量子阱的各分立能级延展为能带.
叫做超晶格,是因为其周期化薄层线度远大于晶格常数.但通常为几nm、几十nm,与电子平均自由程（德布罗意波长）可比拟。
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