77问答网
所有问题
当前搜索:
半导体晶体硅的禁带宽度
硅
在室温下
的禁带宽度
答:
1.12电子伏特
。根据查询相关资料信息显示,硅在室温下的禁带宽度约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在半导体材料中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小与硅晶体的晶格结构和原子间相互作用有关。
si,ge,gaas,gan,sic等
半导体
材料
的禁带宽度
和电子迁移率各是多少_百...
答:
禁带宽度:1.12, 0.66, 1.42, 3.44
6H- SiC:3, 4H- SiC:3.25, 3C-SiC:2.3 (eV)电子迁移率: 1350, 3800, 8000, 2000,3000左右 (cm^2/(V·s))
多晶硅
禁带宽度
答:
1.12eV
。硅材料是应用最广泛的元素半导体材料,具有其余元素不具有的一些特性,在室温下它的禁带宽度为1.12eV,其本征载流子浓度为1.45x10D/cm。
半导体
器件
的禁带宽度
是指什么啊?
答:
例如:室温下(300K),锗的禁带宽度约为0.66ev;
硅的禁带宽度约为1.12ev
;砷化镓的禁带宽度约为1.424ev;氧化亚铜的禁带宽度约为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属,反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的...
半导体
物理中,能带宽度与
禁带宽度
的区别是什么?
答:
禁带宽度:是指一个能带宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带
,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。例如:锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为...
如何理解宽
禁带
?
答:
电子的能量分布遵循泡利不相容原理,形成一个个能量级,即能带。宽窄不一的能带,反映了电子从原子束缚到整个晶体中自由运动的程度。例如,钠晶体中的最外层电子易于跃迁,形成导带,而
硅晶体
则需要克服一定的能量阻碍,这就是禁带的体现,如图8所示。
禁带宽度
的差异,直接决定了材料的导电性能。
导体
几乎没有...
为什么
硅半导体
器件比锗
半导体的
器件工作温度高
答:
因为
硅的禁带宽度
比锗的大,且在相同温度下,锗的本征激发强于硅,很容易就达到较高的本征载流子浓度,使器件失去性能。在通常情况下,要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度,所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以,
硅半导体
器件比锗半导体的器件工作温度高。
半导体的禁带宽度
大约位于什么区间
答:
禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。
半导体
最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为
禁带宽度
。
半导体禁带宽度
是什么意思?
答:
1. 导电性:
禁带宽度
决定了
半导体的
电导率。禁带宽度越宽,半导体的电导率越低,即半导体越不导电。相反,禁带宽度越窄,电导率越高,半导体越容易导电。这使得半导体器件可以在不同的导通和截止状态之间切换。2. 光电性能:禁带宽度决定了半导体对光的响应能力。宽禁带宽度的半导体对光响应较弱,而窄禁带...
什么叫
禁带宽度
答:
能导电)。被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。
硅的禁带宽度
为0.8ev,砷化镓比他高得多(具体不记得了,大概是一点几还是二点几)。禁带非常窄就成为金属了,反之则成为绝缘体。
半导体
的反向耐压,正向压降都合禁带宽度攸关。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜
半导体禁带宽度一览表
半导体材料的禁带宽度
半导体si的所有禁带宽度
半导体禁带宽度一般是多少
常见半导体材料禁带宽度
半导体绝缘体导体的禁带宽度
本征硅材料的禁带宽度
半导体禁带宽度数量级
硅禁带宽度是多少