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请教直接带隙材料和间接带隙材料的区别
如题所述
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推荐答案 2019-11-02
材料电特性同:直接带隙需要吸收能量间接带隙仅要吸收能量要改变量
电能量值布同:直接带隙同位置间接带隙同位置
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第1个回答 2019-09-07
导带的最高处和价带的最低处在相同k值的叫“直接带隙材料”,例如GaAs等
不在一处的就是“间接带隙材料”例如Si
相似回答
间接带隙和直接带隙的区别
答:
1、定义不同:直接带隙半导体材料中
,价带顶和导带底位于布里渊区中同一点,电子在价带被激发到导带后,其动量保持不变,而间接带隙半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中不同点,电子在价带被激发到导带后,其动量必须改变。2、
特点不同
:直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率,并适合于光电...
直接带隙和间接带隙的区别
有哪些?
答:
直接带隙和间接带隙
是半导体材料能带结构中两种不同的类型
,
它们在电子跃迁方式、发光效率和应用领域等方面存在显著差异
。以下是直接带隙和间接带隙的主要区别:1. **电子跃迁方式**:- **直接带隙**:在直接带隙半导体中,导带底和价带顶的极值点(导带底和价带顶)在布里渊区中位于相同的k点。电...
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
材料的电子特性不同:直接带隙只需要吸收能量
,间接带隙不仅要吸收能量还要改变动量。电子能量值分布不同:直接带隙在同一位置,间接带隙在不同位置。
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置
。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
一般所用的半导体材料有两大类,
直接带隙材料和间接带隙材料
,其中直接带隙半导体材料如GaAs(砷化镓)比间接带隙半导体材料如Si有高得多的辐射跃迁几率,发光效率也高得多。
直接带隙和间接带隙有什么区别
吗?
答:
间接带隙
半导体
材料
导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。两者
的区别
是:
直接带隙
的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的,而间接带...
直接带隙和间接带隙有什么区别
答:
材料
电特性同:
直接带隙
需要吸收能量
间接带隙
仅要吸收能量要改变量 电能量值布同:直接带隙同位置间接带隙同位置
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