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直接带隙和间接带隙共存
直接带隙和间接带隙
是怎么回事?
答:
直接带隙
指的是半导体的导带最小值与价带最大值对应k空间中同一位置,价带电子跃迁到导带不需要声子的参与,只需要吸收能量。
间接带隙
半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就...
什么是
直接带隙和间接带隙
?
答:
直接带隙和间接带隙
是两种不同的半导体材料,它们的区别和特点如下:1. 区别:直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料只能吸收并...
石墨烯和三氧化钨符合是
直接带隙
吗
答:
根据查询物理学进展官网、华尔街见闻得知,石墨烯和三氧化钨复合的带隙类型取决于复合方式和比例,可能是
直接带隙
也可能是
间接带隙
。如果使用单斜晶型的三氧化钨作为复合材料,那么石墨烯和三氧化钨复合的带隙就是直接带隙;如果使用正交晶型的三氧化钨作为复合材料,那么石墨烯和三氧化钨复合的带隙就是间接带隙。
直接带隙和间接带隙
的区别有哪些?
答:
直接带隙和间接带隙
是半导体材料能带结构中两种不同的类型,它们在电子跃迁方式、发光效率和应用领域等方面存在显著差异。以下是直接带隙和间接带隙的主要区别:1. **电子跃迁方式**:- **直接带隙**:在直接带隙半导体中,导带底和价带顶的极值点(导带底和价带顶)在布里渊区中位于相同的k点。电...
直接带隙和间接带隙
的材料有哪些
答:
硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询,
间接带隙
半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的,此时带隙值会受到外界环境的影响,而且会随着外部环境的变化而变,例如:硅、砷化镓等半导体材料。
间接带隙和直接带隙
的区别
答:
1、定义不同:
直接带隙
半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中同一点,电子在价带被激发到导带后,其动量保持不变,而
间接带隙
半导体材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中不同点,电子在价带被激发到导带后,其动量必须改变。2、特点不同:直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率,并适合于光...
什么是
直接能隙和间接能隙
答:
他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。
直接带隙
半导体电子跃迁时不需要释放或吸收声子(即晶格振动),而
间接带隙
半导体需要。而且声子的能量也是分立的,所以直接带隙半导体更容易跃迁。
直接带隙和间接带隙
有什么区别?
答:
因为电子是fermion,它的波函数描述是asymmetric的,做一个asymmetric operation后就会发现,电子波函数消失,也就是说不存在两个相同量子态的电子。如果只考虑到spin这个自由度分为spin-up和spin-down用以区分不同的量子态,那么一个核外电子能级只能容纳两个电子。根据原子核的电荷情况,核外电子遵循Paul ...
ge和si是什么
带隙
半导体
答:
ge和si是
间接带隙
半导体。
直接带隙
半导体(Directgapsemiconductor)的例子:GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
石墨烯是
直接带隙
还是
间接带隙
答:
石墨烯是
直接带隙
的半导体,导带和价带在k空间里,相互具有很好的对称性。石墨烯是一种以杂化连接的碳原子,紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料。石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。英国...
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