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半导体pn结与禁带宽度有什么关系
如题所述
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推荐答案 2022-12-03
禁带宽度越大,电势差越大。PN结的电势差与半导体施主和受主掺杂浓度有关,在温度一定时,掺杂浓度越大,电势差越大;PN结的电势差与半导体的禁带宽度有关,禁带宽度越大,本征载流子浓度越小,电势差越大;PN结的电势差与半导体的温度有关,温度越高,电势差越大。
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pn结
接受光照能量
什么禁带宽度
的光子被吸收
答:
pn结接受光照能量等于或大于禁带宽度的光子被吸收
。当PN结及附近被光照射时,在光子能量大于材料禁带宽度时就会产生电子-空穴对,此时光子被吸收。
pn结
光电器件的
禁带宽度
与截止波长的
关系
答:
禁带宽度是
指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)).固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带.要导电就要有自由电子存在.自由电子存在的能带称为导带(能导电).被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度.锗的禁带宽度为0.785ev;硅的...
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pn结
如何得到
禁带宽度
答:
伏安法测
pn结
伏安用最小二乘法对UbeT
关系
进行直线拟合,就可以得到
禁带宽度
。根据
PN结
电压与温度的线性关系,半定量得到了PN结中硅材料的禁带宽度,与公认值比较接近。”
正向电压
与禁带宽度
的
关系
答:
反向作用关系。正向电压
与禁带宽度
的
关系是
反向关系,当正向电压超过一定临界值时(即二极管的反向击穿电压),
PN结
内部电场强度急剧减小,禁带宽度变窄到接近于零。此时二极管出现反向电流,进入击穿状态。
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