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直接带隙和间接带隙共存
石墨烯是
直接带隙
还是
间接带隙
答:
石墨烯是
直接带隙
的半导体,导带和价带在k空间里,相互具有很好的对称性。石墨烯是一种以杂化连接的碳原子,紧密堆积成单层二维蜂窝状晶格结构的新材料。石墨烯具有优异的光学、电学、力学特性,在材料学、微纳加工、能源、生物医学和药物传递等方面具有重要的应用前景,被认为是一种未来革命性的材料。英国...
直接带隙和间接带隙
有什么区别
答:
简单的说
直接带隙
半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体,
间接带隙
半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料
什么是
直接带隙
半导体?
答:
伴随发射或吸收适当的声子,电子的波矢K可以改变。GaP是
间接带隙
半导体,其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体,则可调节x(0<x<1)值改变混合晶体的能带结构,CaAs1-xPx可能成为
直接带隙
半导体。这与半导体的能带结构(EK关系)有关。所谓EK关系,就是能量-动量关系。自...
什么是
能隙和带隙
?
答:
- 价带:位于固体中的电子能量较低的能级区域。此能级区域的电子已经被原子束缚,不容易从原子跃迁至导带或离子域中。- 导带:位于固体中的电子能量较高的能级区域。此能级区域的电子不受束缚,容易自由跃迁至其他能级或者离开原子,形成导电。带隙可以分为
直接带隙和间接带隙
两种,直接带隙指的是价带和...
直接带隙
半导体
与间接带隙
半导体的异同
答:
简单的说
直接带隙
半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体,
间接带隙
半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料 参考资料:http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_bandgap
硅的能带结构是
直接
还是
间接
答:
硅的能带结构是间接。这里的硅都是间接禁带型的能带结构。简单来说,一般我们希望获得
直接带隙
半导体。他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。看导带低和价带顶的动量是不是相同。相同就是直接带隙,不同就是
间接带隙
。而这里的硅导带底和价带顶波矢k值不同,所以判断为间接禁带。能带结构...
能隙和带隙
的区别
答:
例如,价带和导带都可以看作是带状的能量级别。带隙则是在能带结构中定义的一个特定的能量范围,它包含了导带和价带以及它们之间的能级差异。带隙可以是
直接带隙
(direct band gap)或
间接带隙
(indirect band gap),具体取决于能带之间的距离和电子跃迁的性质。总结一下,能隙是能带之间的能量间隔,...
什么是
直接
禁带半导体
间接
禁带半导体
答:
直接带隙
半导体就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置,而
间接带隙
半导体的导带最小值和满带最大值在k空间中位于不同位置.
PbS
直接带隙
半导体还是
间接带隙
半导体?
答:
直接带隙
,0.4eV
直接带隙和间接带隙
有什么区别
答:
材料电特性同:
直接带隙
需要吸收能量
间接带隙
仅要吸收能量要改变量 电能量值布同:直接带隙同位置间接带隙同位置
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