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直接带隙和间接带隙共存
eg在什么值范围内效果最好
答:
Eg在1.2~1.6eV范围内效果最好。EG是评价传感器工作可靠性的重要指标,它表示接收器接收的光能量能否能使传感器动作,也表示使传感器产生动作所需要最小的光强度。
co3o4也是
间接带隙
半导体嘛
答:
co3o4也是
间接带隙
半导体。根据查询相关信息显示,Co3O4是一种复合氧化物,其晶体结构呈立方晶系。根据文献报道,Co3O4是一种狭义的间接带隙半导体,其能带结构中,导带和价带之间的最小
能隙
不在k空间的同一点上。该能隙的大小为1.5eV,这意味着Co3O4在可见光范围内吸收光线的能力弱。
半导体物理学的semiconductor physics
答:
在价带最高量能(价带顶)和导带最低能量(导带底)之间的能区称为禁
带隙
(简称禁带)。 半导体的本征吸收光谱
直接
反映半导体的能带结构(实际测量则可以
间接
通过反射光谱及各种调制光谱的方法)。本征吸收光谱是由价带电子吸收光子而跃迁到导带所产生的。因为光子的动量很小,...
硅的
带隙
能量指的是什么
答:
带隙
取决于温度由于 热扩散. 带隙也取决于压力。 带隙可以是二者之一
直接
或
间接
bandgaps根据 带状组织.材料 标志 带隙(eV) @ 300K 硅 Si 1.11 [1]锗 Ge 0.67 [1]碳化硅 SiC 2.86 [1]铝磷化物 阿尔卑斯 2.45 [1]铝砷化物 呀 2.16 [1]铝锑化物 AlSb 1.6 [1]铝氮化物 AlN...
石墨相氮化碳是
直接
半导体还是
间接
半导体
答:
直接半导体。为具有与碳材料相似的层状堆积结构和sp2杂化的π共轭电子能带结构,石墨相的氮化碳(g-C3N4)是一种
直接带隙
半导体。石墨相氮化碳(g-C3N4)作为一种极具发展前景的无金属光催化剂,可用于多种用途,如能源转化、废水处理或有机合成等。
请问各位如何计算
带隙
能啊??
答:
A是一常数与材料本身性质有关(
直接
、
间接带隙
),a是TiO2对不同hv(光子能量)的吸收系数 通常用分光光度计来测试
、发光材料一般为什么
带隙
。
答:
这样可使电子
直接
从导带跃迁到价带与空穴复合而发光,有很高的效率。反之,采用
间接带隙
材料,其效率就低一些。
半导体激光器的优点半导体激光器工作原理
答:
导体激光器工作原理根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类,
直接带隙
材料
和间接带隙
材料,其中直接带隙...
半导体雷射器的优点 半导体雷射器工作原理
答:
导体雷射器工作原理 根据固体的能带理论,半导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带,低能量的为价带,两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时,把释放的能量以发光形式辐射出去,这就是载流子的复合发光。一般所用的半导体材料有两大类,
直接带隙
材料
和间接带隙
材料,其中直接带隙...
测光致发光光谱时样品浓度有影响吗
答:
测光致发光光谱时样品浓度有影响 由于
间接带隙
半导体材料(比如说Si)的发光需要声子的参与,导致其发光较
直接带隙
(比如说ZnO)的来说弱很多.那么,做间接带隙材料的低温光致发光谱又有什么特殊的意义?低温下,声子的作用就被大大的削弱,于是,在低温下看到的发光谱就是同一k点(比如布里渊区中心)的...
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