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半导体禁带宽度等于
禁带宽度
计算公式
答:
Eg=140/λgeV
。通过查询半导体知识点得知,禁带宽度(Bandgap)符号为Eg,导带的最低能级和价带的最高能级之间的能,固体物理学的量,禁带宽度计算公式为Eg=140/λgeV。
禁带宽度
计算公式
答:
禁带宽度的计算公式:Eg=1240/λg(eV)
。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在...
纳米
半导体
ZnS的带隙(能隙)是多少??上下值各是多少??
答:
ZnS是一种直接带隙的半导体材料,具有闪锌矿和纤锌矿两种结构,
禁带宽度为3.6~3.8eV
,它具有良好的光电性能,广泛应用于各种光学和光电器件中,如薄膜电致发光显示器件、发光二极管、紫外光探测器件、太阳能电池等。传统的化合物薄膜太阳能电池,一般采用化学浴法制备的CdS薄膜作为缓冲层材料,并且已经获...
tuac变换怎么求
禁带宽度
答:
给你个简单的公式 :
1240/波长=禁带宽度(eV)
先将uv-vis图谱转换为ahv^2 vs hv曲线,其中a是alpha,吸收系数。然后你会看到图大概是先转个弯,然后有一段近似线性。然后你将线性部分作切线,它与x轴的交点就是带隙。
光电导器件的
禁带宽度
与截止波长的关系
答:
h拔是归一化普兰克常数,c是光束,
Eg是禁带宽度(eV)
,λc是截止波长。
半导体
和绝缘体
禁带宽度
范围
答:
大于4.5eV。
禁带宽度
很大(一般大于4.5eV)的是绝缘体,禁带宽度居中的是
半导体
。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。
纯净锗吸收辐射的最大波长为1.9μm,则锗的
禁带宽度
为?答案是0.67eV,哪...
答:
这个属于
半导体
物理的知识。光子的能量要大于或
等于禁带宽度
,才能使电子产生能级跃迁,吸收辐射,产生电流。光子的能量=hv=h*(光速/波长),h为普朗克常数=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由题意和上述原理可知,禁带宽度就等于这时的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波长)=(4.14×10-15...
禁带宽度
和波长的关系是怎么样的?
答:
禁带宽度
是
半导体
的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子(称为价电子),不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本征激发)而产生出自由电子和自由空穴后,才能够导电。空穴实际上也就是价...
三氧化二铟的
禁带宽度
答:
三氧化二铟的
禁带宽度
3.55~3.75ev。三氧化二铟(in2o3)是一种常见的n型
半导体
材料,它的禁带宽度为3.55~3.75ev,氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料,具有较宽的,禁带宽度,较小的,电阻率,和较高的,催化活性,在光电领域,气体传感器,催化剂方面得到了广泛应用。
半导体
光吸收的截止波长是多少
答:
响应波长跟
半导体禁带宽度
有关,比如GaN,禁带宽度3.44 eV,光电响应截止波长是360 nm,紫外波段。可见光波长大于360nm,光子能量小于3.44eV,不能在GaN中激发出电子空穴对,因此没有响应。Si的禁带宽度是1.12 eV,光电响应的截止波长在1100nm,对可见光波段有响应。但是对于紫外光波段,光子能量高,...
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