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半导体禁带宽度计算
半导体
光吸收的截止波长是多少
答:
响应波长跟
半导体禁带宽度
有关,比如GaN,禁带宽度3.44 eV,光电响应截止波长是360 nm,紫外波段。可见光波长大于360nm,光子能量小于3.44eV,不能在GaN中激发出电子空穴对,因此没有响应。Si的禁带宽度是1.12 eV,光电响应的截止波长在1100nm,对可见光波段有响应。但是对于紫外光波段,光子能量高,...
禁带宽度
( band Gap Width)有什么作用?
答:
1. 导电性:
禁带宽度
决定了
半导体
的电导率。禁带宽度越宽,半导体的电导率越低,即半导体越不导电。相反,禁带宽度越窄,电导率越高,半导体越容易导电。这使得半导体器件可以在不同的导通和截止状态之间切换。2. 光电性能:禁带宽度决定了半导体对光的响应能力。宽禁带宽度的半导体对光响应较弱,而窄禁带...
什么是直接带隙宽
禁带半导体
答:
晶体中的电子是处于所谓能带状态,能带是由许多能级组成的,能带与能带之间隔离着禁带,电子就分布在能带中的能级上,禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。
半导体
最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为
禁带宽度
(或者称为带隙、能隙)。
为什么
半导体
的
禁带宽度
会随温度升高而增大?
答:
与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。锗和硅的价带顶Ev都位于布里渊区中心,而导带底Ec则分别位于<100>方向的简约布里渊区边界上和布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处,即导带底与价带顶对应的波矢不同。这种半导体称为间接
禁带半导体
。直接带隙半导体材料就是导带最...
si的
禁带宽度
为
答:
1.12电子伏特。Si指的是硅材料,是一种化学元素,Si材料的
禁带宽度
为1.12电子伏特,电子工业上使用的硅应具有高纯度和优良的电学和机械等性能,硅是产量最大、应用最广的
半导体
材料,硅的产量和用量标志着一个国家的电子工业水平。
认识
半导体
XVII——II-VI族化合物半导体
答:
应用世界的舞台:光与电的交响乐II-VI族化合物
半导体
在各个领域大放异彩,如ZnSe在光电器件中熠熠生辉,CdTe则成为光/辐射探测器的宠儿,而ZnS和CdS则在薄膜显示器和光电导探测器中展示了其卓越性能。例如,CdTe直接带隙半导体的
禁带宽度
达1.5eV,其闪锌矿结构赋予了它优异的光学性能,为薄膜太阳能电池...
半导体
的
禁带宽度
有什么用呢?
答:
禁带宽度
对于
半导体
器件性能的影响非常大,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;比如氮化镓禁带宽度很大,即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带,这样就能继续发挥半导体作用,同理因为跃迁能量较大,所以GaN更难被击穿,因此常用作高压耐高温器件,也有很高的抗辐射性能。另一方面,...
禁带宽度
与温度的关系
答:
我来回答一下,本人某电微电子科学与工程专业,有表述不当之处,望批评指正。影响
半导体禁带宽度
的因素主要有两种:温度与掺杂浓度。(以si、Ge、GaAs半导体为主)1、半导体禁带宽度具有负温度系数:从原子到晶体,经过价键杂化(即:sp3杂化),一条原子能级一般对应多个能带。当温度升高时,晶体的原子...
试解释重掺杂
半导体
使
禁带宽度
变窄的原因。
答:
对第二个能态密度的影响:随着杂质浓度的提高,杂质原子间的距离不断缩小,相邻杂质原子外层电子的波函数相互交叠,所对应的能态密度也随之变化,孤立的杂质能级扩展为准连续的杂质能带。这样,在重掺杂
半导体
中,由于以上能带结构的变化,形成了简并能带,便导致了
禁带宽度
的变窄。定量
计算
表明,掺磷的硅...
提高
半导体
材料的
禁带宽度
怎么
答:
你好,请问是想问怎么提高
半导体
材料的
禁带宽度
吗?提高半导体材料的禁带宽度如下:1、添加参杂去提高;2、改变材料的大小。禁带宽度指的是一个能带宽度,也叫做带隙,单位是电子伏特(eV)。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
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