77问答网
所有问题
当前搜索:
半导体禁带宽度数量级
第三代
半导体
材料爆发!氮化镓站上最强风口
答:
相对于第一代(硅基)半导体,第三代
半导体禁带宽度
大,电导率高、热导率高。第三代半导体的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍,具有更强的耐高压、高功率能力。氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)并称为第三代半导体材料的双雄,由于性能不同,二者的应用领域也不相同。氮化镓、高电流密度等优势...
如何理解宽
禁带
?
答:
禁带宽度
的差异,直接决定了材料的导电性能。导体几乎没有禁带,而半导体和绝缘体则存在。宽
禁带半导体
凭借其大禁带宽度,具有耐高压、耐高温、抗辐射等特性,为汽车芯片、射频芯片和工业高功率设备提供了理想的平台,如图10所示。未来,随着技术进步,电子器件的需求朝着大功率、耐高温和耐高压的方向发展,...
导体 绝缘体
半导体
的具体界限
答:
导体、
半导体
和绝缘体 所有的固体中都包含大量的电子,可有的电阻率很小,在10-6Ω·cm量级;有的却很大,达1014-1022Ω·cm,相差近1020倍以上,这其中的奥妙完全在于电子的分布状况。上面我们所介绍的能带理论对此可给出满意的解释。我们知道,材料的导电性是在外加电场的情况下表现出来的。现在就...
中国优先布局第三代
半导体
,其暂不能用做芯片,如此投入是为何呢?_百 ...
答:
相对于传统的硅材料,碳化硅的
禁带宽度
是硅的 3 倍;导热率为硅的 4-5 倍;击穿电压为硅的 8 倍;电子饱和漂移速率为硅的 2 倍,因此,碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压,耐大电流的高频大功率的器件。三安光电股票最高价?三安光电股票价格为什么低?三安光电市值涨了多少倍?
半导体
概念一共有23...
什么是第三代
半导体
?包你能看懂
答:
这玩意如果解释起来,又得引申出如“能带”、“导带”等一系列的概念,如果不是真的喜欢,我觉得大家也没必要非去研究这些,单说在第三代
半导体
行业板块中,能知道这一个词,您已经跑赢90%以上的小散了。 客观们就主要记住一个知识点吧: 对于第三代半导体材料,越高的
禁带宽度
越有优势。 ③主要形式:“衬底”。半导...
第三代
半导体
材料特点及资料介绍
答:
图2第三代
半导体
的材料特性 相对于Si,SiC的优点很多:有10倍的电场强度,高3倍的热导率,宽3倍
禁带宽度
,高1倍的饱和漂移速度。因为这些特点,用SiC制作的器件可以用于极端的环境条件下。微波及高频和短波长器件是目前已经成熟的应用市场。42GHz频率的SiCMESFET用在军用相控阵...
半导体
材料的特性?
答:
半导体
材料的特性参数有
禁带宽度
、电阻率、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量。电阻率、载流子迁移率反映材料的导电能力。非平衡载流子寿命反映半导体材料在外界作用(如光或电场)下内部...
砷化镓怎么读
答:
砷化镓是一种重要的
半导体
材料。属Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构,晶格常数5.65×10-10m,
禁带宽度
1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个
数量级
以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5~6...
Nc是什么意思
半导体
物理
答:
Nc与
半导体
的掺杂密度密切相关。半导体的掺杂是指通过将材料中的杂质原子(如硼、磷等)引入,从而在材料中形成更多的电子或空穴。掺杂可以改变半导体材料中的扩散系数、
禁带宽度
以及导电性能等特性。在控制半导体器件性能时,需要合理地控制掺杂浓度和分布,从而合理地影响Nc的大小和分布。Nc是半导体材料性能...
怎么判断简并
半导体
?什么是简并半导体?
答:
= EC为简并化条件,得到简并时最小施主杂质浓度:选取EF = Ev为简并化条件,得到简并时最小受主杂质浓度:
半导体
发生简并时:(1)ND ≥ NC;NA ≥ NV;(2)ΔED越小,简并所需杂质浓度越小。(3)简并时施主或受主没有充分电离。(4)发生杂质带导电,杂质电离能减小,
禁带宽度
变窄。
1
2
3
4
5
6
7
涓嬩竴椤
其他人还搜
半导体禁带宽度范围是多少
半导体禁带宽度是什么
半导体禁带宽度一览表
半导体禁带宽度一般是多少
间接带隙半导体的禁带宽度
第二代半导体的禁带宽度
理想半导体的禁带宽度
理想半导体材料禁带宽度
禁带宽度误差范围