金属与半导体材料在辐照下发射电子的现象就叫光电效应。由德国物理学家
赫兹于1888年首先发现。分为外光电效应、内光电效应、与光生伏打效应三种。
光电子就是指在
光量子等能量子作用下，一些材料的原子的价电子吸收光量子能量后得以逸出表面的电子。
俄歇电子是俄歇效应过程中，从一些材料表面的原子次层电子填补最内电子壳层空位过程发射的电子。俄歇效应的形成分为两个阶段：第一阶段，原子吸收
X射线或者
伽马射线等高能光量子，在原子的内部电子壳层释放K壳层电子。第二阶段，L、M或者N等壳层的电子填补K层的电子空位时跃迁所发射的X射线。而这种X射线又将L、M或者N层的电子击出，这就是俄歇电子的发射过程。