34．把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。
35．半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。
36．利用二极管的__________作用，可将交流电变成__________。
37．根据二极管的__________性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越__________越好。
38．锗二极管工作在导通区时正向压降大约是__________，死区电压是__________。
39．硅二极管的工作电压为__________，锗二极管的工作电压为__________。
40．整流二极管的正向电阻越__________，反向电阻越__________，表明二极管的单向导电性能越好。
41．杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。
42．当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为__________ 。
43．发光二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态；光电二极管是把 能转变为 能，它工作于 状态。
44．当半导体三极管的 正向偏置， 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 极电流能控制 极电流。
45．三极管的电流放大原理是__________电流的微小变化控制__________电流的较大变化。
46．某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于__________区的__________型的三极管。
47．已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是 ，②脚是 ，③脚是 （e, b，c）；
b．管型是 （NPN，PNP）；
c．材料是 （硅，锗）。
48．晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是__________、__________，电流分配关系是__________。
34．把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成PN结 。
35．半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。
36．利用二极管的___整流____作用，可将交流电变成___直流____。
37．根据二极管的_____单相导电_____性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越____大_____越好。
38．锗二极管工作在导通区时正向压降大约是___0.2V___，死区电压是__小于0.2V_____。
39．硅二极管的工作电压为___0.7V____，锗二极管的工作电压为___0.2V_____。
40．整流二极管的正向电阻越____小____，反向电阻越____大____，表明二极管的单向导电性能越好。
41．杂质半导体分 N 型半导体和 P 型半导体两大类。
42．当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为_反向击穿__ 。
43．发光二极管是把 电 能转变为 光 能，它工作于 正向偏置 状态；光电二极管是把 光 能转变为 电 能，它工作于 反向偏置 状态。
44．当半导体三极管的 发射结 正向偏置， 集电结 反向偏置偏置时，三极管具有放大作用，即 基 极电流能控制 集电 极电流。
45．三极管的电流放大原理是_基极__电流的微小变化控制__集电极____电流的较大变化。
46．某三极管3个电极电位分别为VE=1V,VB=1.7V,VC=1.2V。可判定该三极管是工作于___饱和__区的___NPN__型的三极管。
47．已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V，②2.8 V，③5V，试判断：
a．①脚是 基极b ，②脚是 发射极e，③脚是 集电极c （e, b，c）；
b．管型是 NPN（NPN，PNP）；
c．材料是 硅（硅，锗）。
48．晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是__发射结正向偏置、__集电结反向偏置__，电流分配关系是___Ie=Ib+Ic、_______。