10kV真空断路器原理图详细介绍

如题所述

“真空断路器”因其灭弧介质和灭弧后触头间隙的绝缘介质都是高真空而得名;其具有体积小、重量轻、适用于频繁操作、灭弧不用检修的优点,在配电网中应用较为普及。 真空断路器是3~10kV,50Hz三相交流系统中的户内配电装置,可供工矿企业、发电厂、变电站中作为电器设备的保护和控制之用,特别适用于要求无油化、少检修及频繁操作的使用场所,断路器可配置在中置柜、双层柜、固定柜中作为控制和保护高压电气设备用。
真空断路器的工作原理是:当动、静触头在操作机构的作用下分闸时,触头间产生电弧,触头表面在高温下挥发出蒸汽,由于触头设计为特殊形状,在电流通过时产生一磁场,电弧在此磁场作用下沿触头表面切线方向快速运动,在金属圆筒(屏蔽罩)上凝结了部分金属蒸汽,电弧在自然过零时就熄灭了,触头间的介质强度又迅速恢复起来。
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第1个回答  2010-12-04
真空断路器的工作原理与作用
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真空断路器">断路器处于合闸位置时,其对地绝缘由支持绝缘子承受,一旦真空断路器所连接的线路发生永久接地故障,断路器动作跳闸后,接地故障点又未被清除,则有电母线的对地绝缘亦要由该断路器断口的真空间隙承受;各种故障开断时,断口一对触子间的真空绝缘间隙要耐受各种恢复电压的作用而不发生击穿。因此,真空间隙的绝缘特性成为进步灭弧室断口电压,使单断口真空断路器向高电压等级发展的主要研究课题。 真空度的表示方式 绝对压力低于一个大气压的气体淡薄的空间,称为真空空间,真空度越高即空间内气体压强越低。真空度的单位有三种表示方式:托(即1个mm水银柱高),毫巴(103bar)或帕(帕斯卡:Pa)。(1托=131。6Pa,1毫巴=100Pa)我们通常所说真空灭弧室内部的真空度要达10-4托是指灭弧室内的气体压强仅为"万分之一mm水银柱高",亦等于1。31x10-2Pa。 "派森定理"亦有译为"巴申定律",是指间隙电压耐受强度与气体压力之间的关系。图1表示派森定理的关系曲线呈"V"字形,即充气压力的增加或降低,都能进步极间间隙绝缘强度。其击穿机理至今还不清晰,由于真空灭弧室内部真空度高于10-4托,这样淡薄空气的空间,气体分子的自由行程为 103mm,在真空灭弧室这么大小的容积内,发生碰撞的机率几乎是零。因此不会发生碰撞游离而使真空间隙击穿。派森定理的"V"形曲线是实验得出的,前提是在平均电场的情况下,其间隙击穿电压Uj可表示为: Uj=KLa L------间隙间隔; a------间隙系数(间隙<5mm时a=1,>5mm时,a=0。5) 由派森定理的"V"形关系曲线中看出,认真空度达103托时泛起拐点,拐点周围曲线变得平坦,击穿电压几乎无变化。 认真空度和间隙间隔相同时,其击穿电压则随触头电极材料发生变化,电极材料机械强度高,熔点高时,真空间隙的击穿电压亦随之进步。 真空绝缘的破坏机理 前面已说过,在真空灭弧室这样高度真空度的空间内,气体分子的自由行程很大,不会发生碰撞分离而使真空间隙在高压电作用下会击穿又是客观存在,于是就有种解释真空绝缘会破坏的机理,场致发射引起击穿,微块引起击穿和微放电导致击穿。 场致发射论对真空间隙所以能发生击穿的解释 间隙电场能量集中,在电极微观表面的凸起部门发生电子发射或蒸发逸出,撞击阳极使局部发烧,继承放出离子或蒸汽,正离子再撞击阴极发生二次发射,相互不断积累,最后导致间隙击穿。 著名的FowlerandNoraheim场发射电流I表达式为: I=AE2e-B/E 式中 E------电场强度; A------常数,与发射点的面积有关; B------常数,与电极表面的逸出有关。 在小的间隙(<1mm)及短脉冲电压情况下,可以公道地以为真空间隙击穿是由场致发射引起的,但在长间隙及连续加压与长脉冲电压下,有的学者以为真空的击穿尚存在其它机理: (1)阴极引起的击穿;在强电场下,因为场发射电流的焦耳发烧效应,使阴极表面凸起物的温度升高,当温度达到临界点时,凸起物熔化产生蒸汽引起击穿。 (2)阳极引起的击穿:因为阴极发射的电子束,轰击阳极使某点发烧产生熔化和蒸汽而发生间隙击穿。产生阳极引起击穿的前提与电场进步系数和间隙间隔有关。 微块引起击穿的解释 假设在电极表面附着较轻松的微块,在电场作用下,微块脱落而且加速,这微块撞击对面的电极时,因为冲击发烧可使其本身熔化产生蒸汽,引起击穿。 微放电导致真空间隙击穿的解释 电极的阴极表面沾污,将发生微放电现象。微放电是一种小的自按捺熄灭的电流脉冲,它的总放电电荷3107C,存在时间由50ms到几ms,放电一般发生在大于1mm的间隙中。 这些真空间隙的击穿机理表明,真空电极的材料与电极的表面状况对真空间隙的绝缘都长短常要害

参考资料:http://www.dianqigou.com/?article-57.html

第2个回答  2010-12-03
好象是有三种,分什么永磁操作机构
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