在半导体材料中，吸收系数是描述半导体对入射光的吸收能力的参数。当光子的能量接近半导体的带隙能量时，吸收系数会随着光子能量的增加而增加。这是由于以下几个原因：
能带结构: 半导体的电子结构包括价带和导带，它们之间有一个能量范围，称为带隙，其中没有电子能级。当光子的能量接近带隙能量时，它们有足够的能量将电子从价带激发到导带。
电子-光子相互作用: 当光子的能量足够大（接近或大于带隙能量）时，它们可以与价带中的电子相互作用，使电子跃迁到导带。这个过程称为电子-光子吸收，是半导体吸收光的主要机制。
吸收强度的增加: 当光子的能量增加时，更多的电子能够从价带跃迁到导带，因此吸收的强度也会增加。这意味着吸收系数会随着光子能量的增加而增加。
态密度的影响: 在带隙附近，导带的态密度通常较低，而光子能量增加时，导带的态密度也会增加。这意味着有更多的电子态可供电子占据，从而增加吸收。
电子的动量守恒: 光子的动量可以转移给电子，使其跃迁到导带。当光子的能量接近带隙能量时，动量守恒的条件更容易满足，因此吸收更加有效。
总的来说，当光子的能量接近半导体的带隙能量时，由于能带结构、电子-光子相互作用、吸收强度的增加、态密度的变化以及动量守恒的条件，吸收系数会随着光子能量的增加而增加。