谁知道氮化镓的发展历史

Question

简单介绍该领域背景或历史或最前沿研究

Answer 1

氮化镓不存在于自然界,只能在最先进的实验室中制成。1998-09-01，美国研制出氮化镓晶体管.

它是直接带隙半导体材料,在室温下有很宽的带隙(3.39eV).它在光电子器件如蓝光、紫外、紫光等光发射二极管和激光二极管方面有着重要的应用.作为第三代半导体材料的代表。氮化镓（GaN）基材料可制成高效蓝、绿光发光二极管和激光二极管LD（又称激光器），并可延伸到白光，将替代人类沿用至今的照明系统。氮化镓（GaN）基材料还将带来IT行业存储技术的革命。奠定了解决白色发光二极管的基础，将改写人类照明历史。氮化镓蓝光LED相关材料及器件广泛应用于全色大屏幕显示器，高亮度LED交通信号和指标灯，以氮化镓为基础的高亮度半导体LED具有体积小、寿命长、功耗低等优点，并向着高亮度、全彩色、大型化方向发展。

同时，氮化镓应用领域是广泛的。可以将阳光引进室内,缓解季节性压抑,辅助癌症手术,将CD缩减到1英寸宽。

Answer 2

氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有许多优异的电学特性，如高电子饱和漂移速度、高热稳定性和良好的高温性能。它在发光二极管（LED）、激光器、功率器件等领域具有广泛的应用。
GaN的发展历史可以追溯到20世纪90年代初，当时日本的研究团队首次成功制备出GaN的外延薄膜，这标志着GaN材料研究的开端。随后，随着对GaN材料性质的进一步了解以及制备工艺的改进，GaN在光电子器件和功率器件领域的应用逐渐展开。
在LED领域，GaN材料的商业化应用始于1990年代中期，随着技术的不断进步，GaN LED的亮度和效率不断提升，使得其在照明、显示等领域取得了巨大成功。
在功率器件领域，GaN材料的高电子迁移率和较高的电子饱和漂移速度使其成为了替代传统硅基功率器件的有力竞争者。GaN功率器件具有更高的开关速度、更低的导通损耗和更高的工作温度等优点，被广泛应用于电力转换、无线通信等领域。
当前，GaN材料的研究重点包括提高材料质量、降低制备成本、拓展新的应用领域等。随着对GaN材料和器件的深入研究，相信其在未来将会有更广阔的发展空间和应用前景。