在高亮度LED（HBLED）的性能评估中，多种测试方法被广泛应用。首先，正向电压测试是评估其工作性能的关键步骤。为了理解新型材料如石墨烯、碳纳米管、硅纳米线或量子点如何在电子器件中发挥作用，需要精确测量电阻、电阻率、迁移率和电导率，尤其在低电流范围内。这对于工程师开发下一代材料并推动商业化至关重要，需要纳米级的精确重复测量。
其次，光学测试与LED的发光特性紧密相连。在测量过程中，通过正向电流偏置，光电二极管或积分球捕捉发射的光子，从而计算出光功率。通过电流计或测量单元的单个通道，可以将发光转化为电流，进一步进行精确测量。
接着，反向击穿电压测试对于HBLED的电气性能至关重要。通过施加反向偏置电流，可以测定反向击穿电压（VR）。测试时，需确保在逐渐增加电流时，测得的电压不会急剧上升，而在高电压下，电流大幅增加对反向电压的影响较小。通常，VR测试涉及在特定时间间隔内输出低反向偏置电流，测量HBLED两端的电压降，结果通常在数十伏特范围内。
最后，漏电流测试用于评估HBLED在较低反向电压下的性能。在生产测试中，通常会设定一个阈值，确保漏电流不超过这个值，以保证LED的稳定性。