N沟道增强型MOS管和P沟道增强型MOS管分别在何种条件下工作在恒流区和可变电阻区?求解答谢谢!

如题所述

可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值,但是还没有完全导通的这个阶段,也就是米勒阶段

而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。请看下图。

1)可变电阻区(也称非饱和区)

满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小,沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时,ip与uDs成线性关系,该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。


2)恒流区(也称饱和区、放大区、有源区)

满足Ucs≥Ucs(h)且Ubs≥UcsUssth),为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域,在该区域内,当uGs一定时,ib几乎不随UDs而变化,呈恒流特性。i仅受UGs控制,这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源。场效应管用于放大电路时,一般就工作在该区域,所以也称为放大区。

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