这个，也不用算哪 ！
单片机芯片厂家，都已经规定好数值，公布出来了，哪里还用算？
－－－－
在““满意答案””中，使用《对电容的充电时间》来代替《可靠复位的时间》。
呵呵，这明显是偷换概念。
上电时刻(或按下复位按键)，电阻 R 上，可以在瞬间出现高电平。
之后，电容 C，会充电，电阻 R 上的电压，按照指数规律下降。
(3~5)RC，是充满电的时间，这时，电阻 R 上的电压，将降到 0 V。
学过数字电路的人，都知道：电压，不用降到 0 V，就算是低电平了。
《对电容的充电时间》，算出来约为 300ms，这是降到 0 的时间。
这种方法，并不能算出来《降到低电平》的时间，究竟是多少。
实际上，电压，稍稍下降，就不能算是高电平了。
RST 端，处于何种电压，是低电平呢？这是厂家设计的。
芯片的厂家，同时给出的复位电路所需要的 R、C 的数值。
用厂家推荐的数值，即可保证高电平保持 2us。这个并不需要用户自己计算。
单片机芯片厂家，都已经规定好数值，公布出来了，哪里还用算？
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在““满意答案””中，使用《对电容的充电时间》来代替《可靠复位的时间》。
呵呵，这明显是偷换概念。
上电时刻(或按下复位按键)，电阻 R 上，可以在瞬间出现高电平。
之后，电容 C，会充电，电阻 R 上的电压，按照指数规律下降。
(3~5)RC，是充满电的时间，这时，电阻 R 上的电压，将降到 0 V。
学过数字电路的人，都知道：电压，不用降到 0 V，就算是低电平了。
《对电容的充电时间》，算出来约为 300ms，这是降到 0 的时间。
这种方法，并不能算出来《降到低电平》的时间，究竟是多少。
实际上，电压，稍稍下降，就不能算是高电平了。
RST 端，处于何种电压，是低电平呢？这是厂家设计的。
芯片的厂家，同时给出的复位电路所需要的 R、C 的数值。
用厂家推荐的数值，即可保证高电平保持 2us。这个并不需要用户自己计算。
温馨提示：答案为网友推荐，仅供参考
第1个回答 2013-01-11
第2个回答 2019-01-03
设单片机晶振周期12M，一个机器周期是1US，，要使单片机可靠复位，高电平时间需大于2US，上电时高电平持续时间大约等于R5*C1，因此C1>2/10 k 即0.2nf即可
由于考虑晶振周期可能在更低，加上大一些没有什么 关系，所以都取2到10UF
由于考虑晶振周期可能在更低，加上大一些没有什么 关系，所以都取2到10UF
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