在二级管中，存在两种电容效应，分别是：势垒电容（transition capacitance）和扩散电容（diffusion capacitance）。
在二极管pn结的耗尽区，一边是正电荷，一边是负电荷，而耗尽区内没有载流子，可视为一种绝缘体，如此就构成了一个基本的电容结构，这个电容就称为势垒电容 \\small C_T 。这个电容的值不是很大，一般为几个皮法级。当反偏电压增大时，耗尽区两部的电荷会各自由于电源极性的吸引而向二极管的两端分散，这相当于电容的极板间距增大。因此势垒电容会随着反偏电压的增大略微减小。
当二极管正偏电压较小时，耗尽区两边的载流子会由于电源的压迫而注入耗尽区。在二级管还没导通时，从外部看上去就像是pn结的两边被注入了载流子，但却没有实际电荷通过耗尽区，这个过程就好像是给一个虚拟的电容充电一样，这个等效电容就称为扩散电容 \\small C_D 。扩散电容只有在正偏时才有，反偏时没有。
同前面的反向恢复时间一样，现在我们只要大概了解一下二极管电容就可以了，只有高频时才需要考虑这些电容的影响。其电容随外部偏置电压变化的曲线见下图所示：
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