p和n是指半导体中的掺杂杂质，p代表的是掺杂了三价元素如铟、镓等的半导体材料，会产生一些空穴，是失去电子后的正离子。而n则代表掺杂了五价元素如磷、砷等的半导体材料，会失去一个电子，形成自由电子，是负离子。p和n的掺杂会形成电势差，从而形成p-n结，这种结构可用于制作半导体器件。
p-n结是半导体器件中常用的结构。例如，半导体二极管就是以p-n结为基础制作的，具有单向导电性质，用于电路中的整流、解调等。另外，LED、太阳能电池等器件也是利用了p-n结形成的光伏效应，用于能源转换等领域，十分重要。
制备p-n结的方法主要有扩散和离子注入两种。扩散方法是将掺杂杂质的薄膜与半导体进行高温处理，在材料表面形成p区或n区。离子注入则是将掺杂杂质注入半导体中，形成一定深度的p-n结。这种方法成本低、工艺简单，常用于制作微电子器件中的p-n结。