呵呵，这是我曾经最感兴趣的问题之一，给你解释一下吧。真空静电场的高斯定理：∮eds=(∑q)/ε0稳恒磁场的高斯定理：∮bds=0这两个结论的不同揭示了静电场和磁场的一个差异：静电场是有源场，它的电场线不会闭合，所以对一个封闭曲面的通量不一定为0；而稳恒磁场是无源场，它的磁场线是封闭的，有多少条磁场线穿出曲面，相应就有多少条磁场线穿进曲面，所以磁场对一个封闭曲面的通量恒为0。用比较专业的场论术语来说，就是：静电场是有源场，散度一般不为0；稳恒磁场是无源场，散度恒为0。静电场中的环路定理：∮edl=0(l是l的小写，不是数字1）稳恒磁场的安培环路定律：∮bdl=（∑i)/μ0（∑后面的是字母i的大写）这两个不同的结论又反映了静电场和磁场的另一个差异：静电场是无旋场，即它的旋度恒为0，所以静电场对环路积分结果为0；稳恒磁场是有旋场，一般旋度不为零，所以磁场对环路的积分一般不等于0。（全部都是自[f7159.cn]
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第1个回答 2023-06-24
解：首先令平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成，两极板的面积均为S，设两极板分别带有+Q,-Q的电荷。
每块极板的电荷密度为σ=Q/S，除去极板的边缘效应，所以可以将板间的电场看成是均匀电场
则由高斯定理得两板间场强为E=σ/ε。
由S/d即平板电容公式可得出C=S/4πkd。
扩展资料：
高斯定理的应用：
1、矢量分析：高斯定理是矢量分析的重要定理之一。它可以被表述为：
2、静电学：穿过一封闭曲面的电通量与封闭曲面所包围的电荷量成正比：
换一种说法：电场强度在一封闭曲面上的面积分与封闭曲面所包围的电荷量成正比。
（当所涉体积内电荷连续分布时，上式右端的求和应变为积分。）
它表示，电场强度对任意封闭曲面的通量只取决于该封闭曲面内电荷的代数和，与曲面内电荷的位置分布情况无关，与封闭曲面外的电荷亦无关。在真空的情况下,Σq是包围在封闭曲面内的自由电荷的代数和。当存在介质时,Σq应理解为包围在封闭曲面内的自由电荷和极化电荷的总和。
高斯定理反映了静电场是有源场这一特性。
高斯定理是从库仑定律直接导出的，它完全依赖于电荷间作用力的平方反比律。把高斯定理应用于处在静电平衡条件下的金属导体，就得到导体内部无净电荷的结论，因而测定导体内部是否有净电荷是检验库仑定律的重要方法。
参考资料来源：百度百科- 高斯定理
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