1、2脚是内部场效应管的源极，3脚是反馈输入，4脚是VDD一般5678脚外接AC220经桥堆整流后的电压（约300V左右）。
1、OURCE：源极引脚，为内部MOSFET的源极端和电路参考地。
2、FB：反馈引脚，反馈输入，用于扩展0～1 V反馈控制电压范围，同时限定MOSFET的漏极电流峰。
3、VDD：电源引脚，用于给芯片内部的控制电路提供电源，同时它也与漏极高压电流源相连。为了保证电源更为可靠，其起动开启阈值（典型值）应为14.5 V，并应在8 V时关闭。
4、DRAIN：漏极引脚，为高压功率开关MOS-FET的漏极端，同时也可用于内部高压电流源和充电，其最高耐压为730V。
扩展资料：
注意事项：
电子元器件必须储存在清洁、通风、无腐蚀性气体的仓库类室内环境中，仓库应处于通道通畅状态。另存放电子元器件的仓库温度（）和相对湿度（%RH）必须满足如下要求:温度：-5-30，相对湿度：20%-75%RH，仓库的环境温湿度值将直接影响电子元器件的存储寿命及品质质量。
对静电敏感器件（如MOS场效应晶体管、砷化镓场效应晶体管、CMOS电路等），应存放在具有屏蔽静电作用的存储设备内。对磁场敏感但本身无磁屏蔽的电子元器件，应存放在具有屏蔽磁场作用的存储设备内。
参考资料来源：百度百科-引脚
参考资料来源：百度百科-电压
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