BW6101超级电容保护芯片是专门针对超级电容串联模组的电容单体过压保护而设计的一款高性能、低价格芯片，此芯片应用简单，性能可靠，可以替换原有的TL431、XC61C及其它的分立元件方案，电路简单，外围器件小，电压精度高，是一款专门为超级电容保护而研发的专门芯片。
BW6101采用高精度内部电压基准，确保保护电压精度在1%以内，内置功率管可以提供大电流泄放能力，在没有外部扩流管的条件下，可以提供200mA的电流泄放能力，如果需要大电流泄放保护，可以采用外部增加扩流MOS管，最大泄流能力可以达到几安培甚至几十安培，满足大容量法拉电容模组保护要求。
BW6101采用SOT23-5封装，器件体积小，集成度高，外围器件少，可以满足高密度安装要求，极大地降低应用成本，提高了电路可靠性。
芯片简介：
l SOT23-5封装
l 高精度电压基准：1%
l 电压保护泄放能力强
l 具有LED报警输出功能
l 芯片体积小，便于高密度安装
l 功耗极低，[email protected]
l 可以实现对2.5V与2.7V的电容进行保护
示例1：4只2.7V 10F超级电容串联电路，无外部扩流，电路简单
本电路直接采用BW6101芯片内部的功率MOS管作为泄放开关，电路只需要一个芯片+一个功率电阻就可以，电路简洁可靠，集成度高，可以很方便地完成结构紧凑的模组设计，电容保护电压是2.65V，当电容两端的电压大于2.65V时，内部泄放开关打开，通过泄放电阻对下一级电容进行放电，保证电容两端的电压不会过压，芯片同时具有过压LED指示灯，当电容两端的电压大于2.75V时，指示灯会点亮，可以用来对监测模组的工作状态，进一步保证模组的正常工作。
示例2：4只2.7V 100F超级电容串联电路示例：使用MOS管进行外部扩流
本示例中，由于2.7V 100F电容容量大，同时需要大电流进行充放电，这时需要更大功率的泄放电路才能更好地保证电容单体不过压，进而保护超级电容模组的工作安全。本示例核心采用BW6101+外部扩流MOS+大功率电阻，由于BW6101内部MOS管可靠地泄放电流为200毫安，所以更大的泄放电流必须由外部来完成，本电路可以允许几安培的泄放电路，如果需要几十安培以上的泄放电流，那么需要更换大功率MOS管及更大功率的电阻。
BW6101 是一款超级电容充电保护芯片，它内置高精度基准，确保输出精度达到±1%。内置的功率管使得过充保护后的泄流能力达到 0.7A@(VIN=2.65V) ，很好地满足了超级电容级联使用时的充电特性。
BW6101可以通过外部端口选择为两种规格的超级电容进行充电保护。当选择端口为高电平时，对应保护点为 2.65V，当选择端口电平为低时，对应保护点为2.45V。方便用户的灵活使用。
BW6101采用小型化的 SOT23-5 封装，便于高密度安装。同时外围器件少，极大地降低应用成本。
注意哦，泄放电流不要高于0.7A，不然芯片会发热，特殊情况不排除会烧掉。（用途就不再一一介绍）
封装：
典型应用电路：
引脚配置：
绝对最大额定值：
电学特性参数：测试条件（Ta=25℃除非特殊指定）
特性曲线：
目前BW6101只适用于2.7V超级电容器，也有BW6103超级电容保护芯片，适用3.0V超级电容器，后续我们将会研发更加稳定及适用性更好的超级电容保护芯片。
扩流电路我就不再发了，网上可以找到相关的电路图纸