电容前串联一个电容

Question

例如：DC24V电源供电，470UF电容前面串联一个1K 1/10瓦的电阻，有没有意义，我个人觉得没有什么意义，但是用什么来证明呢？如果此电路成立，那个电容实际的有效容量又是多少呢。简化电路如下图。
有什么计算公式可以计算出电容的实际作用容量，24V串联 1K的电阻 I=U/R =24V/1000欧=0.024A=24mA ；LED的电流400mA,怎么满足得了实际的需求呢。

Answer 1

这个电阻是有用的，目的是限制充电电流的，因为电容的初始电压是0V，就是24V电源对电容充电，这个电流是很大的，理论上是无穷大，电阻就是来限流的。加了电阻后有个坏处是充电时间常数加大了，但没有关系，你的时间常数也是毫秒级别的。几个时间常数下来就充满电了。尽管你的电源功率够用，但是你的充电电容受不了，老化严重。
改成47微法的，也不行。你这个电容在这里的作用是储能的，而不是滤波的。在开关断开后，是通过47UF电容上的电来维持点亮这个LED的。你改成小容量的电容后,了；LED亮一下就灭了。根本达不到实际要求。
你会问，我们平常的滤波电容，怎么没有加电阻啊？但是那样的情况只有开机时冲击一下。后面便进入了稳态。（所有很多电器不能频繁开关机）而你这个我估计是频繁操作的。
故不能轻易更改！
你补充的问题，和你原题相冲突，如果是400MA的电流的话，你这个电阻就毫无意义，而且工作不正常。从24V降压后得到3.3或者5V，负载电流400MA,必须使用开关电源！（开关电源从低压到低压不需要开关变压器的）

Answer 2

在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管可以看作是由三个PN结组成。

在晶闸管处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管上的阳极电压上升率应有一定的限制。

为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。

由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择

电容的选择

C=(2.5-5)×10的负8次方×If

Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF
选用2.5mF，1kv 的电容器
电阻的选择：
R=((2-4) ×535)If=2.14-8.56

选择10欧

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。

R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。

C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。

看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴本回答被网友采纳

Answer 3

电容应该是滤波，通常如果前面是整流，这里的电容都会选大容量的铝电解用来滤波，使后面的电压更平滑，如果是直流源供电，电压本来就很平稳，那么电容可以适当小点，另外，铝电容容量变化很小的！

Answer 4

如果前面有恒流电路,完全可以取消,恒流IC设计时都考虑到冲击电流的 ,完全没有必要加