肖特基二极管与快恢复二极管有什么区别

如题所述

一、快恢复二极管简称FRD(反向恢复时间很短的二极管),也是一种高速开关二极管,这种二极管的开关特性好,反向恢复时间很短,正向压降低,反向击穿电压较高(耐压值较高),主要应用于开关电源、脉宽调制电路PWM以及变频等电子电路中。
二、肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件,其反向恢复时间可小到几个纳秒(2-10ns纳秒),正向压降仅0.4v(0.4--1.0V)左右,而整流电流却克达到几千安。而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。
三、肖特基二极管的恢复时间比快恢复二极管小一百倍左右,肖特基二极管的反向恢复时间大约为几纳秒!前者的优点还有低功耗,超高速!电特性当然都是二极管。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
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第1个回答  2019-09-06
是两种工艺的芯片技术,势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快恢复二极管更高,trr参数只几ns,基本忽略,正向导通电压低,只零点几伏(低自身功耗),但点压不高,一般只能做到200v,现在冰旭有做300v的。
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