半导体激光器和固体激光器的区别在于工作物质、价格、激励源不同。
1、工作物质
半导体激光器常用工作物质有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。
固体激光器常用的工作物质，由光学透明的晶体或玻璃作为基质材料，掺以激活离子或其他激活物质构成。
2、价格
半导体激光器价格低。
固体激光器由于工作介质的制备较复杂，所以价格较贵。
3、激励源
半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体激光器，一般是由砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生受激发射。
光泵式半导体激光器，一般用N型或P型半导体单晶（如GaAS,InAs,InSb等）做工作物质，以其他激光器发出的激光作光泵激励。高能电子束激励式半导体激光器，一般也是用N型或者P型半导体单晶(如PbS,CdS,ZhO等)做工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。
固体激光器以光为激励源。常用的脉冲激励源有充氙闪光灯；连续激励源有氪弧灯、碘钨灯、钾铷灯等。在小型长寿命激光器中，可用半导体发光二极管或太阳光作激励源。一些新的固体激光器也有采用激光激励的。
参考资料来源：百度百科-半导体激光器
参考资料来源：百度百科-固体激光器
1、性质
半导体激光器，又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异，不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓、硫化镉、磷化铟、硫化锌(ZnS)等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。
固体激光材料：是在作为基质材料的晶体或玻璃中均匀掺入少量激活离子。
半导体激光器：
固体激光材料：
2、特点
半导体激光器：体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。
固体激光器：具有体积小、使用方便、输出功率大的特点。
3、应用
半导体激光器：半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于）1Gh/。局域网，1300nm -1550nm波长的半导体激光器适用于10Gb局域网系统.半导体激光器的应用范围覆盖了整个光电子学领域。
固体激光器：在军事、加工、医疗和科学研究领域有广泛的用途，常用于测距、跟踪、制导、打孔、切割和焊接、半导体材料退火、电子器件微加工、大气检测、光谱研究、外科和眼科手术、等离子体诊断、脉冲全息照相以及激光核聚变等方面。
参考资料来源：百度百科-半导体激光器
参考资料来源：百度百科-固体激光器
本回答被网友采纳一、概念不同
1、半导体激光器：又称激光二极管，是用半导体材料作为工作物质的激光器。
2、固体激光器：用固体激光材料作为工作物质的激光器。
二、工作介质不同
1、半导体激光器：采用简单的注入电流的方式来泵浦，其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。
2、固体激光器：工作介质是在作为基质材料的晶体或玻璃中均匀掺入少量激活离子。例如：在钇铝石榴石（YAG）晶体中掺入三价钕离子的激光器可发射波长为1050纳米的近红外激光。
三、工作原理不同
1、半导体激光器：导体材料中电子的能级形成能带。高能量的为导带，低能量的为价带，两带被禁带分开。引入半导体的非平衡电子-空穴对复合时，把释放的能量以发光形式辐射出去，这就是载流子的复合发光。
2、固体激光器：固体激光器以光为激励源。常用的脉冲激励源有充氙闪光灯；连续激励源有氪弧灯、碘钨灯、钾铷灯等。在小型长寿命激光器中，可用半导体发光二极管或太阳光作激励源。一些新的固体激光器也有采用激光激励的。
固体激光器由于光源的发射光谱中只有一部分为工作物质所吸收，加上其他损耗，因而能量转换效率不高，一般在千分之几到百分之几之间。
参考资料来源：百度百科-半导体激光器
参考资料来源：百度百科-固体激光器
本回答被网友采纳固体激光器是光激励，激活粒子需要吸收光能，然后产生受激振荡；半导体泵浦转化效率一般在15%左右，灯泵浦激励一般在4%左右。追问
那半导体泵浦全固态激光器 就是属于固体激光器了么
追答当然
追问十分感谢！！ 我就是不明白为什么半导体激光器转换率高达50%，而现在流行的是半导体泵浦全固态激光器
追答虽然转化效率高，但是不好用，因为光束质量差。半导体泵浦的全固态激光器光束质量非常好，适合于各种加工。
追问感谢帮忙 以后有问题还会请教 谢谢
本回答被提问者采纳固体激光器比如红宝石激光器是采用脉冲氙灯作为激励源，将下能级的粒子抽运到上能级，来泵浦工作介质红宝石棒中的Cr3+产生受激发射过程，通过光学谐振腔出射激光。
半导体激光器一般来说价格低，光束质量差，稳定性受温度影响较大，但是现在国外做得好的厂家比如相干、QIOPTIQ等的半导体激光器系列可以做到M2<1.1了，加上半导体温度控制模块和闭环调制电路，功率稳定性也得到了解决。因为这些优点，近年来半导体激光器发展迅速。