表面光电压与光磁电效应的相同点与不同点比较

如题所述

相同点:两者的共同点是都具有磁场,都有磁性。

光电效应包含光伏效应。光电效应后很多种,按照是否发射电子,光电效应分为内光电效应和外光电效应,内光电效应包括光电导效应、光伏效应、光子牵引效应和光磁电效应等,外光电效包括光电发射效应,也就是高中物理里面的爱因斯坦光电效应。

不同点:首先是对象,光电效应是金属;光电导性则多为半导体如硅、砷材料。再有就是原理,光电效应的产生是金属的固有属性;光电导性,则是由于入射的光子产生了电子-空穴对,从而增加电导性。

技术原理

光磁电效应,为1931年提出的一条物理学理论,即在垂直光照方向上(z向)再加一磁场,则在半导体的两侧端面间产生电位差,称为光磁电效应。

光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度,使载流子产生定向扩散速度,磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离,形成端面电荷累积的电位差和横向电场。当作用在载流子上的洛仑兹力与横向电场的电场力平衡时,两端面的电位差保持不变。

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