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ltps 中pmos和nmos的区别
如题所述
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推荐答案 2016-10-06
LTPS TFT中
PMOS也叫PTFT， 源漏端是P型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是N型掺杂。
NMOS也叫NTFT，源漏端是N型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是P型掺杂。
*通常，N型掺杂用的是磷元素，P型掺杂用的是硼元素。
一般在电路中，PTFT是负电压开启，NTFT是正电压开启。
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pmos和nmos有什么不同
呢?
答：
pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称
：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有这种结构的晶体管称之为NMOS晶体管。nmos与pmos驱动能力对比
NMOS的电流Id必须从D流到
...
pmos和nmos有什么区别
?
答：
NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。
当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态
。NMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。NMOS也用于逻辑电路中，通常与PMOS一起使用，以实现CMOS（互补金属氧化物半导体）逻辑。这两种MOSFET的不同工作...
nmos
和
pmos的区别
?
答：
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel
MOS管
，或
NMOS
。P-channel MOS（
PMOS
）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。
详解P沟道
mos管与
N沟道mos管
答：
MOS/CMOS的魅力: 这种半导体器件以其简单性、高效率、高集成度和强大的抗干扰能力，成为大规模集成电路的首选。MOS集成电路包括NMOS、PMOS和互补型CMOS，尽管
PMOS与NMOS的
原理相似，但极性有别。N沟道的多样性: N沟道MOS分为增强型和耗尽型，前者需要正向偏压才能导通，耗尽型则在零栅压时已有沟道。耗尽...
nmos
和poms的版图
区别
答：
NMOS
和PMOS的版图
区别
在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。MOS晶体管有P型
MOS管和
N型MOS管之分，由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路...
PMOS
,
NMOS
,CMOS,BIOS有何
区别
答：
PMOS
,NMOS,CMOS,BIOS的主要
区别
在导通特性，开关管损失，驱动方面 1、导通特性
NMOS的
特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便...
为什么
PMOS的
阈值电压比
NMOS
要大
答：
栅电极材料类型也相同，栅氧化层层中的电荷密度也相同，但是衬底浓度却不一样，
NMOS
直接做在Psub外延P-epi上面，而PMOS 做在P-epi的NWELL上面，所以NWELL的杂志浓度比P-epi跟大一些，衬底浓度越大，对应
MOS管的
阈值电压也越大，所以一般
PMOS的
阈值电压都要比NMOS要更大一些。
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