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直接带隙半导体名词解释
什么是
直接
禁带
半导体
间接禁带半导体
答:
直接带隙半导体就是导带最小值和满带最大值在k空间中同一位置
,而间接带隙半导体的导带最小值和满带最大值在k空间中位于不同位置.
什么是
直接带隙半导体
,什么是
间接带隙半导体
?
答:
一、直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置
。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。二、间接带隙半导体材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。三、间接带隙半...
什么是
直接带隙
答:
直接带隙就是价带顶、导带底在k空间同一位置的带隙
。实物对应的就是直接带隙半导体。
直接带隙半导体
与
间接带隙半导体
的异同
答:
简单的说直接带隙半导体就是导带最低点和价带最高点在k空间处于同一点的半导体
,间接带隙半导体就是它们不处于同一点的半导体。你可以看一下下面的参考资料 参考资料:http://en.wikipedia.org/wiki/Direct_bandgap
的悖论啊!---书上说:ZnO是
直接带隙
氧化物
半导体
,具有宽的带隙(3.3eV...
答:
直接带隙是导带最小值(导带底)和满带最大值(价带顶)在k空间中同一位置
,但是从能量来看,导带底与价带顶之间存在一个能量间隙——禁带;由于这个禁带的宽度较大,所以称为宽带隙半导体。可参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。
半导体
材料如何分类?
答:
直接带隙
和
间接带隙
是两种不同的
半导体
材料,它们的区别和特点如下:1. 区别:直接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料可以吸收并转换为电子-空穴对。因此,直接带隙材料可以产生光电效应,并且可以通过光致发光和光电导性进行测量。间接带隙材料:当入射光子能量等于材料能隙时,材料只能吸收并...
什么是
直接带隙
宽禁带
半导体
答:
晶体中的电子是处于所谓能带状态,能带是由许多能级组成的,能带与能带之间隔离着禁带,电子就分布在能带中的能级上,禁带是不存在公有化运动状态的能量范围。
半导体
最高能量的、也是最重要的能带就是价带和导带。导带底与价带顶之间的能量差即称为禁带宽度(或者称为
带隙
、
能隙
)。
什么是
直接带隙半导体
?
答:
GaP是
间接带隙半导体
,其发光也是间接跃迁产生的。但如果将GaP和GaAs混合制成GaAs1-xPx晶体,则可调节x(0<x<1)值改变混合晶体的能带结构,CaAs1-xPx可能成为
直接带隙半导体
。这与半导体的能带结构(EK关系)有关。所谓EK关系,就是能量-动量关系。自由空间中粒子的动量越大,能量也越大。但是在晶体...
ge和si是什么
带隙半导体
答:
ge和si是
间接带隙半导体
。
直接带隙半导体
(Directgapsemiconductor)的例子:GaAs、InP半导体。电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
间接带隙
和
直接带隙
的区别
答:
1、定义不同:
直接带隙半导体
材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中同一点,电子在价带被激发到导带后,其动量保持不变,而
间接带隙半导体
材料中,价带顶和导带底位于布里渊区中不同点,电子在价带被激发到导带后,其动量必须改变。2、特点不同:直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率,并适合于光...
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