77问答网
所有问题
当前搜索:
直接带隙半导体名词解释
何为
直接带隙半导体
?
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
直接带隙半导体
和
间接带隙半导体
有什么区别呢?
答:
两者的区别是:直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的,而
间接带隙
的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉,从能量利用的角度上来说,直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有
直接带隙半导体
...
什么是半导体材料的
直接带隙半导体
?
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
直接带隙
是什么意思?
答:
两者的区别是:直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的,而
间接带隙
的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉,从能量利用的角度上来说,直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有
直接带隙半导体
...
关于
半导体
中的
直接带隙
与
间接带隙
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
直接带隙
是什么意思?
答:
两者的区别是:直接带隙的半导体导带上电子是由价带受激发直接跃迁导致的,而
间接带隙
的半导体导带上的电子是由价带受激发跃迁至导带后还要有个弛豫的过程才能到导带底。这个过程中会有一部分能量以声子的形式浪费掉,从能量利用的角度上来说,直接带隙的半导体对光的利用率更好。ZnO具有
直接带隙半导体
...
直接带隙半导体
材料是什么?
答:
一、
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。二、
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。三、间接带隙...
什么是
直接带隙半导体
材料?
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
直接带隙
和
间接带隙
有什么区别
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。间接带隙半导体材料导带最...
何谓
直接带隙半导体
和
间接带隙半导体
?
答:
直接带隙半导体
材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。电子在k状态时的动量是(...
<涓婁竴椤
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
涓嬩竴椤
灏鹃〉
其他人还搜