温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高而增大等。
因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的:一个是禁带宽度(一般随着温度的升高而减小);二是少数载流子浓度(随着温度的升高而指数式增大)。
扩展资料:
BJT的分型:
1、NPN型:
NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种,由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体(基极)组成。输入到基极的微小电流将被放大,产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压,并且集电极电压高于基极电压。
则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中,晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流,是发射极注入到基极区域的电子(在基极区域为少数载流子),在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高,因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。
2、PNP型:
双极性晶体管的另一种类型为PNP型,由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说,当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时,集电极电压低于基极,晶体管处于正向放大区。
在双极性晶体管电学符号中,基极和发射极之间的箭头指向电流的方向,这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反,PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极 。
3、异质结双极性晶体管:是一种改良的双极性晶体管,它具有高速工作的能力。研究发现,这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号,因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。
异质结是PN结的一种,这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中,发射结通常采用异质结结构,即发射极区域采用宽禁带材料,基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓(GaAs)制造基极区域,用铝-镓-砷固溶体(AlxGa1-xAs)制造发射极区域。
采用这样的异质结,双极性晶体管的注入效率可以得到提升,电流增益也可以提高几个数量级。
参考资料来源:百度百科-双极性晶体管