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硅间接带隙为什么成半导体
直接带隙和
间接带隙
的材料有哪些
答:
硅、砷化镓等半导体材料。根据百度百科查询,
间接带隙半导体是指电子能级与洞能级之间的能隙是由外部的应力或磁场等引起的
,此时带隙值会受到外界环境的影响,而且会随着外部环境的变化而变,例如:硅、砷化镓等半导体材料。
何为直接带隙和
间接带隙半导体
?
答:
直接带隙半导体材料就是导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中同一位置。电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴(形成半满能带)只需要吸收能量。
间接带隙半导体
材料导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。电子在k状态时的动量是(...
间接带隙半导体
是
什么
意思?!
答:
由于导带底和价带顶不在同一个动量点上,这种半导体中发生电子吸收光子从价带到导带的跃迁时,不仅要受到能量守恒的限制,还要受到动量守恒的限制。也就是说不仅光子能量要大于带宽,而且要有相应的电声子相互作用使电子动量发生变化。这种要求是比较难达到的。所以
硅
这种
间接带隙半导体
不适合作光器件.与之...
解决数十年难题:埃因霍温研究人员开发出能发光的
硅
材料
答:
“关键在于所谓的
半导体
带隙本质,”TU/e项目负责人Erik Bakkers指出,“如果一个电子从导带‘降’到价带,半导体就会发出光子:光。”在传统的立方
硅
中,由于导带和价带被取代形成了一个
间接带隙
,所以不能发射光子。然而,50年前的理论认为,六角形的合金硅和锗会有一个直接带隙。这其中的诀窍就在于...
数字集成电路(上)
答:
电子在晶体中按照能量分布形成能带,决定了金属、绝缘体和
半导体
之间的本质差异。金属的导带与价带接近,使得电子在常温下易于跃迁;半导体如Si、Ge,禁带宽度适中,可通过光照或热能激发电子运动,而绝缘体的禁带则相对宽广,电阻较高。半导体的分类进一步细化,如直接带隙的GaAs和
间接带隙
的Si。直接带隙材料...
硅
的能带结构是直接还是
间接
答:
硅
的能带结构是间接。这里的硅都是间接禁带型的能带结构。简单来说,一般我们希望获得直接带隙
半导体
。他们的区别在于价带顶和导带底是否拥有相同的波矢k。看导带低和价带顶的动量是不是相同。相同就是直接带隙,不同就是
间接带隙
。而这里的硅导带底和价带顶波矢k值不同,所以判断为间接禁带。能带结构...
硅+量子点作为
间接带隙半导体
,
为什么
发光?
答:
由于量子点的能级结构非常特殊,它们可以束缚不同的激子,从而使
硅
量子点具有非常强的发光能力。这种发光能力可以通过调节量子点的尺寸、形状和组成来控制,从而实现对量子点发光颜色的精细调节。因此,硅量子点作为
间接带隙半导体
材料的重要性在于,它们为LED 和其他光电器件的制造提供了一种新的、具有潜力的...
硅
基oled与oled差别
答:
硅
基OLED微显示器件结构 硅(si)是一种重要的
半导体
集成电路材料,但由于硅是
间接带隙
材料,发光效率低,为了在硅片上实现光电集成,在过去的几十年,人们开展了大量硅基发光材料和器件的研究工作,如在硅衬底上集成II-V族发光材料,或者制作多孔硅等。近年来,在硅衬底上制作OLEDs (Organic light emitting ...
硅
纳米晶简介
答:
硅
,作为
半导体
材料,因其
间接带隙
的特性,其发光效率并不理想。然而,通过量子限制效应的巧妙利用,硅纳米晶展现出了独特的性能。这种效应使得硅纳米晶的能带宽度会随其尺寸的减小而改变,进而显著提升其发光效率。在实际应用中,硅纳米晶通常以嵌入氧化物介质的形式存在,比如常见的就是镶嵌在二氧化硅(...
锗与
硅
做
半导体
材料 各自的优缺点
答:
4)关于
硅
的掺杂和扩散工艺,研究得十分广泛,前期经验很多。不足:硅本身的电子和空穴迁移速度在未来很难满足更高性能半导体器件的需求。氧化硅由于介电常数较低,当器件微小化以后,将面临介电材料击穿的困境,寻找替代介电材料是当务之急。硅属于
间接带隙半导体
,光发射效率不高。--- 锗:作为最早被...
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